型号：MB81C79-45
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：8K x 8位（64Kbit）
　　封装类型：28-DIP 或 28-SOIC
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级） 或 -40°C 至 +85°C（工业级）
　　访问时间：45ns
　　读取电流（最大）：35mA
　　待机电流（典型）：50μA
　　输入电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：单个LSTTL负载
　　封装引脚数：28
　　芯片工艺：CMOS
　　访问模式：异步读写
　　写使能信号：WE（低电平有效）
　　片选信号：CE（低电平有效）
　　输出使能信号：OE（低电平有效）
　　地址输入线数量：13根（A0-A12）
　　数据输入/输出线数量：8根（I/O0-I/O7）

MB81C79-45的核心特性之一是其45纳秒的快速访问时间，这使得它能够在高频系统总线下稳定运行，适用于需要快速响应的数据处理应用。这一访问速度在同类异步SRAM中处于较高水平，尤其适合用于微处理器系统的高速缓存、实时数据缓冲区或图形显示内存等场景。由于其异步架构设计，该芯片不需要外部时钟同步，简化了系统设计复杂度，并降低了电磁干扰风险。
　　该器件采用CMOS制造工艺，兼具高速与低功耗的优点。在正常读取操作下，其工作电流较低，而在待机状态下，典型待机电流仅为50μA，显著降低了整体功耗，有利于延长电池供电设备的使用寿命或减少散热需求。这种低功耗特性使其适用于便携式仪器、远程监控终端等对能耗敏感的应用领域。
　　MB81C79-45具备完整的TTL电平兼容性，可以直接与多种微控制器、微处理器及逻辑电路无缝连接，无需额外的电平转换电路，从而节省PCB空间并降低系统成本。其三态输出功能允许多个存储器或外设共享同一数据总线，提升了系统集成度。
　　此外，该芯片具有高可靠性和耐用性，无须刷新机制（不同于DRAM），只要保持供电即可持续保存数据。其全静态设计意味着即使在低频或暂停状态也能维持数据完整性，非常适合用于实时时钟备份、配置寄存器存储或关键状态信息保存等应用场景。
　　封装方面，28引脚DIP和SOIC两种选项提供了良好的安装灵活性，既支持通孔焊接也支持表面贴装工艺，适应从原型开发到批量生产的各种需求。同时，该芯片经过严格测试，具备较强的抗静电能力和环境适应性，可在宽温范围内稳定运行，确保在恶劣工业环境中长期可靠工作。

MB81C79-45主要应用于各类需要高速、稳定、非刷新型随机存取存储器的电子系统中。一个典型的应用是在嵌入式控制系统中作为微控制器或DSP的外部数据缓存，用于暂存运算中间结果、采集数据或通信报文，提升系统整体响应速度和处理效率。例如，在工业自动化设备如可编程逻辑控制器（PLC）中，该SRAM可用于存储实时I/O状态、程序变量或故障日志信息，保障控制过程的连续性和可靠性。
　　在通信与网络设备中，MB81C79-45常被用作协议转换器、路由器或调制解调器中的帧缓冲存储器，用于临时存储待发送或接收的数据包，配合DMA控制器实现高效数据传输。其45ns的快速访问能力可以满足E1/T1、ISDN等中速通信接口的数据吞吐需求。
　　此外，该芯片也广泛应用于办公自动化设备，如激光打印机、复印机和传真机中，用于存储打印队列、图像位图或页面描述语言解析后的中间数据。这些应用通常要求存储器具备快速读写和持久保持能力，而MB81C79-45正好符合这些要求。
　　在测试测量仪器领域，如数字示波器、频谱分析仪或数据记录仪中，该SRAM可用于高速采样数据的临时缓存，以便后续进行信号处理或上传至上位机。其静态特性避免了动态刷新带来的中断干扰，有助于提高测量精度和系统稳定性。
　　另外，由于该芯片历史悠久且资料齐全，也被广泛用于教学实验平台、单片机学习板或FPGA开发系统中，作为学生理解存储器原理和总线操作的实践元件。即使在新型系统中逐渐被更先进的存储器替代，MB81C79-45仍在维修替换、老旧设备升级等领域发挥着重要作用。

IS61C256AH-45T
　　CY7C199-45JC
　　AS6C62256-45PCN
　　MCM6264KC-45
　　IDT71V256SA45P