时间：2025/8/9 4:01:53
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MB81C1000-10PSZ是一款由富士通（Fujitsu）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速SRAM器件，采用异步设计，适用于需要快速数据存取的应用。MB81C1000-10PSZ采用52引脚塑料封装（TSOP），其工作温度范围符合工业级标准，通常用于工业控制、网络设备、通信系统及嵌入式系统等领域。
类型：SRAM
容量：1Mbit（128K x 8）
组织结构：x8位宽
访问时间：10ns
工作电压：3.3V至5V兼容
封装类型：TSOP
引脚数：52
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步
读取电流：最大200mA
待机电流：最大10mA
MB81C1000-10PSZ是一款高性能的异步SRAM，具备快速的访问时间，通常为10纳秒，能够满足高速数据处理需求。该芯片支持宽电压范围操作，从3.3V到5V之间均可稳定工作，提高了在不同系统中的兼容性和适应性。
这款SRAM芯片的封装形式为52引脚TSOP，适用于表面贴装技术，节省空间并提高电路板的可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业环境和严苛条件下运行。
此外，MB81C1000-10PSZ具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携式设备或低功耗系统的电池寿命。它还具备高可靠性和稳定性，适用于需要长期运行的关键任务系统。
MB81C1000-10PSZ广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施、网络路由器和交换机、测试设备以及数据采集系统中。由于其高可靠性和低功耗特性，它也常用于航空航天、医疗电子和汽车电子等对稳定性要求极高的领域。
CY62148EVLL-10ZSXC, IS61LV1000-10B4I, IDT71V128SA10P, MB81C1000-10PZ
