MB81464-12PD-G-BB 是一款由 Fujitsu(富士通)公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该SRAM芯片采用高速CMOS技术制造,提供较高的数据访问速度和低功耗特性,适用于需要快速数据存储和访问的应用场景。MB81464系列属于常见的SRAM产品线,提供多种封装和速度等级选择,以满足不同系统设计的需求。这款特定型号的MB81464-12PD-G-BB采用了PDIP(塑料双列直插封装)形式,适用于工业和通信设备中。该芯片广泛用于嵌入式系统、网络设备、工业控制和测试设备等需要高性能存储的场合。
存储容量:4Mbit(512K x 8)
访问时间:12ns
工作电压:3.3V或5V(兼容)
封装类型:PDIP
引脚数量:32
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
最大工作频率:约83MHz(基于访问时间计算)
数据输入/输出方式:并行(8位总线)
工作模式:异步SRAM模式
功耗:典型待机电流为10mA,运行时为150mA左右
MB81464-12PD-G-BB 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备快速的数据访问能力和广泛的电压兼容性。该芯片的访问时间为12纳秒(ns),使其能够在高速数据传输环境中稳定运行,适用于需要快速响应的实时系统。其支持3.3V和5V供电,增强了与不同电源架构系统的兼容性,适用于升级现有设计或构建新型嵌入式系统。
该SRAM芯片采用了低功耗设计,在待机模式下功耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在严苛环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业控制、自动化设备和通信基础设施等应用。
此外,MB81464-12PD-G-BB 采用32引脚PDIP封装,便于安装和焊接,适用于原型设计和小批量生产。其并行8位数据总线结构使其能够快速与微控制器、FPGA或DSP等处理器进行数据交换,广泛应用于数据缓冲、高速缓存和实时数据处理系统。
MB81464-12PD-G-BB SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低延迟访问的嵌入式系统和工业设备中。其主要应用包括工业控制器、通信设备、路由器、交换机、测试测量仪器、FPGA缓存、实时数据缓冲和高速数据采集系统。在工业控制领域,该芯片可用于存储程序变量、缓存实时数据或作为临时存储器使用,提升系统响应速度。在网络设备中,它可作为快速查找表或数据缓存,提高数据转发效率。由于其支持多种电源电压和宽温范围,也适用于需要高可靠性的汽车电子、航空航天和军工设备。
IS61LV25616-12T, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416S12PHG, AS7C34098A-12TC, CY7C1041CV33-12ZSXE3