容量：256K x 16位
　　组织方式：256K x 16
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：100引脚 Fine-pitch BGA（FBGA）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：100MHz
　　数据保持电压：2.0V
　　封装尺寸：14mm x 14mm

MB81117822A-100FN 是一款高性能SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，提供高速数据访问能力，访问时间仅需10ns，适用于对性能要求较高的系统。该芯片支持异步操作，适用于多种存储器接口设计，能够适应不同的应用场景。此外，该芯片具有低功耗特性，在高速工作状态下仍能保持较低的能耗，适用于对功耗敏感的设计。其100MHz的工作频率使其能够满足高速缓存、数据缓冲和实时处理等应用的需求。
　　在可靠性方面，MB81117822A-100FN 具有良好的温度适应性，工作温度范围为-40°C至+85°C，适合工业环境下的稳定运行。封装形式为100引脚FBGA，占用空间小，适合高密度PCB布局。此外，该芯片支持数据保持功能，在电源电压下降至2.0V时仍能维持数据不丢失，提高了系统的稳定性。
　　MB81117822A-100FN 的控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持全地址和数据总线操作，便于与微处理器或控制器连接。其设计兼容JEDEC标准，方便替换和升级。

MB81117822A-100FN 主要应用于需要高速存储的系统中，如网络路由器、交换机、嵌入式控制系统、工业自动化设备、测试仪器以及高端消费类电子产品。由于其高速访问时间和低功耗特性，也常用于缓存、帧缓冲和实时数据处理等场景。

MB81117822A-100FN的替代型号包括ISSI的IS61LV25616-10BSI和Cypress的CY62148BLL-45ZSXI。这些型号在容量、速度和封装方面具有相似的性能指标，可作为替代选择。