时间：2025/8/8 19:03:42
阅读：11
MB81116822C-100FN是一款由富士通（Fujitsu）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速SRAM器件，适用于需要高性能和低延迟数据存储的应用场景。该芯片通常用于嵌入式系统、通信设备、工业控制设备和网络设备中。MB81116822C-100FN采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗、高可靠性和稳定性。该器件具有16位数据总线宽度，并支持异步操作。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：256K x 16
电压范围：3.3V至5V兼容
访问时间：10ns
封装类型：100引脚TQFP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据总线宽度：16位
接口类型：异步
封装尺寸：14x14mm
功耗：典型值约150mA（待机模式下低于10mA）
MB81116822C-100FN是一款高性能SRAM芯片，具有10ns的访问时间，适合高速数据处理应用。其16位宽的数据总线能够提高数据传输效率，广泛适用于需要快速存取存储的系统中。该芯片支持3.3V至5V的电源电压，具有良好的兼容性，可以在多种系统环境中使用。此外，该芯片具备低待机功耗特性，适用于对功耗敏感的应用场景。
MB81116822C-100FN采用100引脚TQFP封装，节省空间并便于PCB布局。其CMOS工艺确保了低功耗和高抗干扰能力，提高了系统的稳定性。该芯片内部无内部时钟，采用异步控制方式，允许与各种主控芯片灵活连接。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业环境下的稳定运行。
该芯片广泛应用于网络设备、通信模块、工业控制系统、嵌入式设备、测试设备和数据采集系统等需要高速、低功耗SRAM存储的场景。MB81116822C-100FN可作为高速缓存或主存使用，适用于FPGA、DSP和微控制器系统中的外部存储扩展。
CY62167VLL-10ZSXC, IDT71V128SA10PFG, IS61LV25616A-10B4I
