MB7112L 时间：2025/12/28 9:07:50 阅读：18

MB7112L是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高精度、低功耗的CMOS型磁阻传感器集成电路，专为检测磁场强度和方向而设计。该器件集成了AMR（Anisotropic Magnetoresistance，各向异性磁阻）传感元件与信号调理电路，能够将外部磁场的变化转化为精确的模拟电压输出。MB7112L广泛应用于需要非接触式位置检测、角度测量、速度检测以及电流传感等场景。其封装小巧，适合在空间受限的应用中使用，并具备良好的温度稳定性和抗机械应力能力，确保在复杂环境下的可靠运行。该芯片采用双列直插或小型表面贴装封装形式，便于集成到PCB板上。MB7112L的工作电压范围较宽，通常在2.7V至5.5V之间，适用于多种电源系统，包括电池供电设备。此外，该器件具有内置的数字校准功能，可在出厂前或系统级进行灵敏度和偏移量的调整，以提高测量精度。由于其高分辨率和快速响应特性，MB7112L在工业自动化、汽车电子、消费类电子产品中均有广泛应用。

参数

工作电压：2.7V ~ 5.5V
　　输出类型：模拟电压输出
　　灵敏度：典型值为1.5 mV/V/Oe
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　静态输出电压：VDD/2 ± 50mV
　　响应频率：DC ~ 1kHz
　　功耗：典型值为5mA（@5V）
　　磁感应范围：±10 Oe（可定制）
　　非线性度：<1% FS
　　封装形式：SOP-8 或 DIP-8
　　输入失调电压温漂：±1μV/°C

特性

MB7112L的核心技术基于各向异性磁阻（AMR）效应，这种物理现象使得材料在不同方向的磁场作用下表现出不同的电阻值。通过精密的微加工工艺，芯片内部集成了四个AMR电阻构成惠斯通电桥结构，当外加磁场改变时，电桥产生差分电压信号，经过片内低噪声放大器和温度补偿电路处理后输出稳定的模拟信号。该传感器具有极高的灵敏度和分辨率，能够检测微弱的磁场变化，最小可分辨磁场强度可达0.1 Oe，非常适合用于高精度的位置和角度测量应用。
　　该器件具备出色的温度稳定性，内置热敏元件和数字补偿算法，有效抑制了因温度变化引起的输出漂移。同时，MB7112L支持双向磁场检测，能够识别磁场的方向和强度，输出信号相对于零场中心对称，便于后续MCU进行A/D采样和数据处理。其快速的动态响应能力使其可用于旋转编码器、齿轮转速监测等高速运动检测场合。
　　为了提升系统的可靠性，MB7112L还集成了过压保护、反接保护和静电放电（ESD）防护电路，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。此外，该芯片支持单轴磁场检测，安装时需注意磁场方向与芯片敏感轴的对齐，以获得最佳性能。制造商提供了详细的校准指南和技术支持文档，帮助用户在实际应用中实现最优的测量精度。

应用

MB7112L广泛应用于多个工业和消费领域。在汽车电子中，它可用于油门踏板位置检测、方向盘转角传感、变速箱档位识别等非接触式位置测量系统，提高了系统的安全性和寿命。在工业控制领域，常用于电机转子位置检测、线性位移传感器、阀门开度监控等设备中，替代传统的电位器或光电编码器，避免了机械磨损问题。
　　在消费类电子产品中，MB7112L可用于智能家电中的旋钮角度识别、笔记本电脑盖开关检测、手机翻盖检测等功能模块。此外，在电流检测应用中，配合磁芯和导体，可通过检测载流导线周围的磁场来间接测量电流大小，适用于过流保护、电池管理系统等场景。
　　由于其高可靠性和小尺寸特性，该芯片也适用于医疗设备中的运动部件监测、机器人关节角度反馈、无人机姿态控制系统等高端应用场景。在智能家居和物联网设备中，MB7112L可用于门窗开合状态检测、水表/气表的无触点计数等，显著提升了系统的耐用性和防水防尘能力。