类型：FPM DRAM
　　容量：16 Mbit (2M x 8)
　　组织结构：2 Meg x 8 bits
　　供电电压：5V ± 10%
　　访问时间：70ns / 80ns / 100ns（根据版本）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：28-pin DIP 或 SOP
　　引脚间距：2.54mm（DIP）
　　刷新周期：8ms / 4096 rows = 每行约2μs
　　数据总线宽度：8位
　　地址总线复用方式：A0-A10（行/列分时复用）
　　控制信号：RAS, CAS, WE, OE, CS
　　最大工作频率：约33MHz（受限于访问时间）
　　功耗：典型静态电流 5mA，动态电流随频率变化

MB675174U具备典型的快速页模式DRAM操作特性，支持高效的连续数据读写能力。在传统的异步DRAM架构中，内存访问分为行地址和列地址两个阶段，分别由RAS（Row Address Strobe）和CAS（Column Address Strobe）信号控制。当进行连续访问同一行地址内的多个列地址时，只需改变列地址并重复触发CAS信号，而无需重新激活行地址，这种机制被称为“页模式”操作。MB675174U在此基础上优化了内部时序控制逻辑，实现了更快的列地址切换速度，从而显著提升了在块数据传输中的吞吐效率，尤其是在图形显示缓存、大文件读取等需要顺序访问的应用中表现优异。
　　该芯片内部集成了完整的刷新控制电路或可配合外部控制器实现自动刷新功能，确保在动态电容存储单元中的数据不会因漏电而丢失。它支持CAS在前的刷新模式（CAS-before-RAS Refresh），这是一种标准的DRAM刷新协议，允许系统在不中断正常读写操作的前提下周期性地对所有行执行刷新动作，提高了系统的整体稳定性与可靠性。此外，MB675174U具有良好的噪声抑制能力和电平兼容性，能够与标准的TTL和CMOS逻辑电路无缝对接，适用于多种数字系统环境。
　　为了降低功耗，MB675174U还支持待机模式（Power-down Mode），当片选信号CS保持高电平时，芯片进入低功耗状态，减少不必要的电流消耗。这一特性使其在电池供电或对能耗敏感的应用中具有一定优势。虽然其访问速度相较于现代同步DRAM较慢，但在当时的技术条件下已属于高性能产品，能够满足早期386、486乃至初代Pentium处理器系统的内存需求。其设计注重稳定性和兼容性，经过长期市场验证，在工业级应用中表现出较强的耐用性与抗干扰能力。

MB675174U主要用于上世纪90年代中期到2000年代初期的各种计算机和嵌入式系统中。在个人计算机领域，它是许多AT主板和Baby-AT主板上常见的内存颗粒之一，常被用作主内存的组成部分，特别是在尚未普及EDO DRAM之前的FPM DRAM时代，广泛集成于30针或72针的SIMM内存条上。这类内存条常见于Intel 80386、80486以及早期Pentium处理器平台，为操作系统运行、应用程序加载和图形界面渲染提供必要的临时存储空间。
　　除了PC应用外，MB675174U也被大量应用于各类办公设备，如激光打印机、多功能一体机和传真机等。在这些设备中，它用于缓存打印页面数据、图像处理中间结果以及接收网络或主机发送的任务指令，保障打印任务的高效执行。在网络通信设备方面，该芯片曾用于路由器、交换机和调制解调器中，作为协议处理缓冲区或数据包暂存区，提升设备的数据转发能力。
　　在工业自动化和控制系统中，MB675174U因其高可靠性和宽温适应能力，被用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）、数控机床和数据采集系统中，用于存储实时运行数据、程序变量和状态信息。此外，一些医疗仪器、测试测量设备和消费类电子产品也采用了这款DRAM芯片，以满足中等容量、低成本内存的需求。即使在当前，该芯片仍在老旧设备维修、博物馆级计算机复原以及教学实验平台中发挥着作用，成为研究计算机内存发展史的重要实物参考。

KM416S2524CT-70
　　HY516800BJP-70
　　MT4C16256BJ-70