MB651645U 时间：2025/8/8 16:50:40 阅读：17

MB651645U是一款由富士通（Fujitsu）生产的互补金属氧化物半导体（CMOS）静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要快速数据存取的系统，如计算机缓存、网络设备和工业控制系统。MB651645U采用先进的CMOS技术制造，能够在广泛的温度范围内稳定运行，适合工业级应用。该SRAM芯片的容量为16K x 4位，工作电压为5V，封装形式通常为28引脚塑料双列直插式封装（PDIP）或小型封装（如SOIC）。

参数

容量：16K x 4位
　　电压：5V
　　访问时间：最大55ns
　　封装类型：28引脚PDIP / SOIC
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　功耗：典型值150mA（待机模式下<10mA）

特性

MB651645U采用高性能CMOS工艺制造，确保了快速的数据访问能力，最大访问时间仅为55ns，适用于高速缓存和实时系统。该芯片具备低待机电流特性，在未被访问时可大幅降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。其TTL兼容输入/输出电平使其能够轻松集成到各种数字系统中。此外，MB651645U具备宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），适合工业环境下的稳定运行。该芯片采用28引脚封装，便于PCB布局和焊接，适用于自动化生产流程。MB651645U还具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中可靠工作。
　　MB651645U的存储单元采用六晶体管结构，提供稳定的数据存储能力，无需刷新操作，降低了系统设计复杂度。其高速读写能力使得该芯片在嵌入式系统、通信设备和测试仪器中得到广泛应用。同时，该芯片的5V供电设计使其兼容多种传统系统电源架构，便于替换和升级。MB651645U的引脚排列符合行业标准，方便与其他SRAM芯片进行引脚兼容替换，提高系统设计的灵活性。

应用

MB651645U广泛应用于需要高速存储的电子系统中，例如个人计算机和服务器的缓存系统、网络路由器和交换机的临时数据存储模块、工业控制设备中的高速缓冲存储器、测试与测量仪器的数据暂存单元、嵌入式系统的程序和数据存储区域，以及汽车电子和航空航天设备中的关键数据缓存部分。由于其高速访问时间和宽温工作范围，该芯片也常用于通信基础设施设备、医疗成像系统和自动化生产线中的高速数据处理环节。