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MB622170PF-G-BND 发布时间 时间:2025/9/24 14:47:24 查看 阅读:7

MB622170PF-G-BND是一款由Monolithic Power Systems(MPS)推出的高效率、同步降压直流-直流转换器芯片,广泛应用于需要紧凑设计和高效能电源管理的电子系统中。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够在宽输入电压范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及便携式设备中的板级电源解决方案。MB622170PF-G-BND采用先进的电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应和良好的负载调整率,确保输出电压在各种工作条件下保持稳定。该芯片具备多种保护功能,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和输出短路保护,增强了系统的可靠性和安全性。其封装形式为小型化QFN,有助于节省PCB空间,同时支持高密度布局,适合对尺寸敏感的应用场景。此外,MB622170PF-G-BND在轻载条件下可自动进入节能模式,显著提升低功耗应用下的整体能效,满足现代电子产品对绿色能源和长续航的需求。

参数

型号:MB622170PF-G-BND
  制造商:Monolithic Power Systems (MPS)
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.6V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:3A
  开关频率:典型值1MHz
  控制方式:峰值电流模式控制
  静态电流:典型值30μA(关断模式)
  工作效率:高达95%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温)
  封装类型:QFN-14(3mm x 4mm)
  集成MOSFET:是(上下管均集成)
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输出短路保护、欠压锁定(UVLO)
  引脚兼容性:与部分MPS buck系列兼容
  环保标准:符合RoHS及无铅要求

特性

MB622170PF-G-BND采用先进的同步整流技术,内部集成了低导通电阻的上下桥臂MOSFET,有效降低了导通损耗和热耗散,从而在高负载条件下实现高达95%的能量转换效率。该芯片支持1MHz的固定开关频率,允许使用小型外部电感和陶瓷电容,进一步减小整体电源方案的体积。其峰值电流模式控制架构不仅提供了优异的线路和负载瞬态响应能力,还便于环路补偿设计,提升了系统的稳定性。在轻载运行时,器件可自动切换至脉冲跳跃模式(PSM),显著降低开关和驱动损耗,延长电池供电设备的续航时间。
  该芯片内置全面的保护机制,包括逐周期过流保护,防止因负载突变或短路引起的电流冲击;过温保护功能可在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出,待温度恢复后重新启动,保障系统长期可靠运行。欠压锁定(UVLO)电路确保输入电压达到正常工作阈值后才启动,避免了上电过程中的不稳定行为。此外,MB622170PF-G-BND具备良好的热性能设计,QFN封装具有低热阻特性,能够有效将热量传导至PCB,适用于高温环境下的连续工作。
  器件还支持外部使能(EN)引脚,允许用户精确控制芯片的开启与关断,便于实现系统级电源管理策略。软启动功能通过内部电路控制启动过程中的输出电压斜率,防止启动浪涌电流对输入电源造成冲击。所有这些特性共同使得MB622170PF-G-BND成为高性能、高可靠性电源设计的理想选择,尤其适用于对效率、尺寸和稳定性有严格要求的应用场景。

应用

MB622170PF-G-BND广泛应用于多种需要高效、紧凑型DC-DC电源解决方案的领域。在工业自动化设备中,它常用于为微控制器、FPGA、传感器和通信模块提供稳定的电源,适应宽输入电压范围使其能够兼容多种工业电源总线。在电信和网络设备中,该芯片可用于路由器、交换机和光模块的板载电源系统,其高效率和低噪声特性有助于提升系统整体性能和散热管理。
  在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒、智能家居控制面板等,MB622170PF-G-BND能够为SoC、内存和其他核心组件提供可靠的供电方案,同时其低静态电流特性有助于降低待机功耗,满足能源之星等能效标准。在便携式设备如移动POS终端、手持测试仪器和无线音频设备中,该芯片的高集成度和节能模式显著延长了电池使用寿命。
  此外,在汽车电子辅助系统中(非动力域),例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元,MB622170PF-G-BND也能胜任,得益于其宽温工作能力和坚固的保护功能。医疗电子设备中对电源稳定性和安全性的高要求也使其成为合适的选择,可用于便携式监护仪、血糖仪等低功耗精密仪器。总之,凡是对电源效率、体积和可靠性有较高要求的应用,MB622170PF-G-BND都能提供出色的性能表现。

替代型号

MP2315GJ-Z
  MP2451DJ-LF-Z
  RT6206BGB

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