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MB621455UPF-G-BND 发布时间 时间:2025/8/8 18:27:04 查看 阅读:16

MB621455UPF-G-BND是一款由富士通(Fujitsu)生产的电子元器件芯片,主要用于高性能存储器应用。该芯片属于异步静态随机存取存储器(SRAM)类别,提供高速数据访问和低功耗特性,适用于需要高可靠性和高性能的工业、通信和消费类电子产品。MB621455UPF-G-BND采用先进的CMOS技术制造,以确保在各种工作条件下都能稳定运行。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:512K x 8
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:55ns(最大)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small-Outline Package)
  封装尺寸:54引脚
  功耗:典型值10mA(待机模式下小于10μA)
  接口类型:并行接口
  时序控制:异步控制
  数据保持电压:1.5V(最低)

特性

MB621455UPF-G-BND是一款高性能异步SRAM芯片,具有以下显著特性:
  1. **高速访问**:该芯片的访问时间仅为55ns,使其能够在高速数据处理应用中提供快速的数据读写能力。这对于需要实时响应的系统非常重要。
  2. **宽电压范围**:工作电压范围为2.3V至3.6V,允许该芯片在多种电源条件下稳定运行,适用于不同的系统设计。
  3. **低功耗设计**:在正常工作模式下,功耗较低,典型值为10mA,而在待机模式下,电流消耗可降至10μA以下,非常适合对功耗敏感的应用场景。
  4. **宽工作温度范围**:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,确保在极端环境条件下仍能可靠运行,适用于工业和汽车应用。
  5. **高可靠性**:采用CMOS技术制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性,确保长期使用的可靠性。
  6. **数据保持能力**:即使在低至1.5V的电压下,芯片仍能保持数据不丢失,这在系统掉电或进入低功耗模式时非常关键。
  7. **紧凑封装**:采用54引脚TSOP封装,体积小且易于集成到高密度PCB设计中,适合便携式设备和空间受限的应用。

应用

MB621455UPF-G-BND因其高性能和低功耗特性,广泛应用于多个领域,包括:
  ? 工业自动化设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和测量仪器,需要高速数据处理和高可靠性。
  ? 通信设备:如路由器、交换机和无线基站,用于临时存储数据包和缓存信息。
  ? 消费类电子产品:如智能家电、数码相机和便携式音频设备,用于存储临时数据和缓存。
  ? 汽车电子系统:如车载导航系统、信息娱乐系统和车身控制模块,适用于恶劣的汽车工作环境。
  ? 医疗设备:如便携式诊断设备和监控设备,要求高稳定性和低功耗运行。
  ? 网络设备:如防火墙、网络存储设备和嵌入式系统,需要快速访问和数据缓冲功能。

替代型号

MB621455UPF-G-BND的替代型号包括:AS7C34098A-55BCB、CY62148EAVTA1VXI、IS62WV5128BLL-55BLLI、IDT71V413S15PFG、MSP430F1101AIPW等。这些型号在性能和功能上与MB621455UPF-G-BND相似,适用于相同的应用场景。

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