您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MB60VH510A

MB60VH510A 发布时间 时间:2025/8/8 17:06:48 查看 阅读:29

MB60VH510A是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的高电压、高电流功率模块,广泛应用于工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)以及电焊机等大功率电子设备中。该模块属于IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)模块的一种,结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT(双极晶体管)的低导通压降的优点,适用于高效率、高频率的开关应用。MB60VH510A采用双管(Dual)封装结构,内部集成了两个独立的IGBT器件,通常用于构建半桥式或全桥式功率转换电路。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):600 V
  额定集电极电流(IC):50 A(在Tc=80°C条件下)
  最大工作温度:Tj=150°C
  短路耐受能力:具备
  封装形式:双列直插式(Dual-in-Line)或类似工业标准封装
  导通压降(VCE_sat):约1.7 V(典型值,IC=50 A时)
  输入电容(Cies):约1500 pF(典型值)
  短路电流能力:高耐受性设计
  工作频率范围:适用于高达20 kHz以上的高频开关应用

特性

MB60VH510A模块具备多项优异性能,首先其高耐压能力(600 V)使其适用于多种中高功率系统设计。额定集电极电流为50 A,在良好的散热条件下可支持更高功率输出。该模块采用了先进的IGBT芯片技术,确保了低导通压降(VCE_sat)和低开关损耗之间的良好平衡,从而提高了整体系统的能效。
  此外,MB60VH510A具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载或负载突变情况下保持稳定运行,提升系统的可靠性与安全性。模块的封装设计优化了热管理和电气绝缘性能,确保在高温环境下仍能维持稳定工作。
  该模块的输入电容较低,有助于减少栅极驱动损耗,使其适用于高频开关应用。同时,其双管结构(Dual)设计简化了外部电路布局,便于实现半桥拓扑结构,广泛适用于逆变器、电机控制和电源转换等应用场景。

应用

MB60VH510A主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括:
  1. 工业变频器:用于交流电机的调速控制,广泛应用于风机、水泵、传送带等设备。
  2. 电焊机:在逆变式电焊机中,作为主功率开关器件,实现高效能的焊接过程。
  3. 不间断电源(UPS):用于DC/AC逆变器部分,提供稳定的交流输出。
  4. 电机驱动系统:如伺服驱动器和电动汽车充电系统中的功率转换部分。
  5. 工业加热设备:如感应加热炉等高频加热应用。
  由于其优异的开关特性和高可靠性,MB60VH510A也常用于需要高效率与紧凑设计的现代电力电子设备中。

替代型号

MB60VH510A可以被MB60VH510A-1、MB60VH510A-2或MB60VH510AS等型号替代,具体取决于制造商的封装与性能要求。此外,可选用类似的600V/50A级别的IGBT模块,如Infineon Technologies的FF50R60KS4或STMicroelectronics的STGW50CH60DS。在替代时需注意封装尺寸、引脚排列、导通压降及短路能力等关键参数的一致性。

MB60VH510A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价