晶体类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　耗散功率（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据电流和温度变化）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

MB605E30 晶体管具有多个显著的电气和物理特性，使其适用于多种电子电路应用。首先，该晶体管的 hFE（电流增益）范围广泛，从 110 到 800，这使得它可以在不同的工作电流条件下保持良好的放大性能。此外，其过渡频率（fT）高达 100 MHz，使其适合用于高频放大器和射频电路中的信号处理。
　　MB605E30 的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度印刷电路板（PCB）上安装，特别适用于便携式电子产品，如智能手机、蓝牙设备和小型音频放大器。该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压为 30 V，因此在低功率开关应用中表现出色，例如在数字逻辑电路、LED 驱动和继电器控制中。
　　该晶体管的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。此外，其低饱和压降（VCE(sat)）特性减少了导通损耗，提高了能效，适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　MB605E30 还具有良好的热稳定性和可靠性，适合在工业控制、消费电子和通信设备中使用。该晶体管在设计时考虑了通用性和成本效益，是许多通用放大和开关应用的理想选择。

MB605E30 主要用于需要中低功率放大的电路设计中。其高频响应特性使其广泛应用于射频（RF）放大器、无线通信模块和天线前置放大器中。在音频电路中，MB605E30 可作为前置放大器或驱动级，用于耳机放大器、小型音响系统和麦克风信号放大器。
　　由于其良好的电流增益特性和低饱和压降，MB605E30 也常被用于数字逻辑电路中的开关元件，例如微控制器 I/O 接口扩展、LED 显示驱动、继电器控制以及小型电机驱动电路。此外，该晶体管还被广泛应用于电源管理电路、电池充电器和电压调节器中。
　　在工业控制领域，MB605E30 可用于传感器信号放大、继电器驱动、PLC 输入输出模块和自动控制系统中的开关电路。由于其封装小巧，该晶体管也适用于嵌入式系统和便携式医疗设备等空间受限的应用。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, 2SC3807