MB571PF-G-BND-ERE1是一款由ROHM Semiconductor生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装型封装,适用于高效率、低功耗的电源整流和续流应用。该器件具有低正向电压降和快速开关特性,适合用于便携式电子设备、开关电源、DC-DC转换器以及逆变电路等对能效要求较高的场合。MB571PF-G-BND-ERE1为AEC-Q101认证产品,表明其具备汽车级可靠性,可用于车载电子系统中,如车身控制模块、LED照明驱动和车载充电系统等。该二极管采用Pb-free(无铅)和RoHS合规设计,符合现代电子产品环保标准。其封装形式为PMDU(Power Mini Dual Flat No-lead Unit),有助于减小PCB占用面积并提升散热性能。由于其优异的热稳定性和电气性能,MB571PF-G-BND-ERE1在工业控制、消费类电子及汽车电子领域均有广泛应用。此外,该型号支持卷带包装(Tape and Reel),便于自动化贴片生产,提高制造效率。
类型:肖特基势垒二极管
极性:单路
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压降(VF):0.52V(典型值,@ IF=1A, TJ=25°C)
最大反向漏电流(IR):0.1μA(典型值,@ VR=40V, TJ=25°C)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:PMDU
安装类型:表面贴装
反向恢复时间(trr):≤ 5ns
热阻(Rth(j-c)):150°C/W
引脚数:2
湿度敏感等级(MSL):1(260°C,无限时间)
MB571PF-G-BND-ERE1的核心特性之一是其低正向导通压降,典型值仅为0.52V,在1A的工作电流下显著降低了导通损耗,从而提升了整体电源系统的转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要,能够有效延长续航时间。
其次,该器件具备极短的反向恢复时间(trr ≤ 5ns),几乎无反向恢复电荷,使其在高频开关应用中表现出色,可减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),适用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。
此外,MB571PF-G-BND-ERE1采用PMDU小型化封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热传导性能,有助于将芯片产生的热量快速传递至PCB,避免局部过热导致的性能下降或器件失效。
该二极管还具有优异的温度稳定性,在高温环境下仍能保持较低的正向压降和可控的反向漏电流,确保系统在恶劣工况下的可靠运行。其额定工作结温高达+150°C,满足严苛环境下的使用需求。
值得一提的是,该产品通过了AEC-Q101车规级认证,意味着其在机械强度、温度循环、湿度耐久性等方面均经过严格测试,具备高可靠性,适用于汽车电子系统中对安全性和寿命要求较高的应用场景。
最后,MB571PF-G-BND-ERE1符合RoHS指令且不含卤素,支持绿色制造理念,适用于全球市场的环保合规要求。其无铅焊接工艺兼容主流SMT生产线,便于大规模自动化装配,提升生产良率和一致性。
MB571PF-G-BND-ERE1广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机,常用于电池保护电路和DC-DC升压或降压模块中,作为续流二极管或防反接元件,利用其低VF特性降低功耗,延长待机时间。
在电源适配器和AC-DC电源模块中,该二极管可用于次级侧整流,替代传统快恢复二极管,减少发热并提升能效,尤其适用于USB PD快充等高功率密度设计。
在汽车电子领域,MB571PF-G-BND-ERE1被广泛用于车载信息娱乐系统、LED车灯驱动、电动座椅控制单元和车载充电器(OBC)中,凭借其AEC-Q101认证和宽温工作能力,能够在-40°C至+125°C的环境温度范围内稳定运行。
工业控制方面,该器件可用于PLC输入输出模块、传感器供电电路和电机驱动H桥中的续流保护,防止感性负载产生的反向电动势损坏主控芯片。
此外,在太阳能充电控制器、无线充电发射端和小型逆变器中,MB571PF-G-BND-ERE1也能发挥其高频响应和低损耗优势,提升系统整体效率和可靠性。
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"MBR140-T1-F",
"RB0540L-40",
"SS14",
"SK14",
"DSK14"
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