时间：2025/12/28 9:56:13
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MB570PFER是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散制造工艺，专为高效率、高密度电源应用而设计。该器件封装在小型且高效的PQFN（Power Quad Flat No-lead）封装中，具备低热阻特性，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于便携式设备、电池供电系统以及空间受限的电子产品中。MB570PFER的主要优势在于其优异的导通电阻与栅极电荷平衡，使其在开关电源、DC-DC转换器及负载开关等应用中表现出卓越的性能。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性与抗雪崩能力，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统的整体可靠性。由于其小型化封装和高性能参数，MB570PFER成为现代电子设备中实现高效能与小型化的理想选择之一。
型号：MB570PFER
通道类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：8.5A
导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ @ Vgs=10V；16mΩ @ Vgs=4.5V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：930pF @ Vds=15V
反向恢复时间（trr）：18ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：PQFN(4x4)
MB570PFER采用罗姆专有的Trench MOSFET结构，通过优化沟道设计和载流子迁移路径，在保证低导通电阻的同时显著降低开关损耗。其12.5mΩ的超低Rds(on)在同类产品中处于领先水平，有助于减少功率损耗并提升系统效率，特别适用于大电流输出场景。该器件的栅极电荷（Qg）仅为17nC（典型值），意味着驱动电路所需功耗更低，从而提高了整个电源系统的能效。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）使得器件在高频开关应用中表现更佳，有效降低了动态损耗。
得益于PQFN封装技术，MB570PFER实现了极低的热阻（θjc ≈ 2.5°C/W），能够快速将芯片内部热量传导至PCB，增强了散热能力，避免因局部过热导致性能下降或损坏。这种封装还具备出色的机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产流程。此外，器件内部集成体二极管，具有较短的反向恢复时间（trr=18ns），可有效抑制在非同步整流应用中的电压尖峰，提高系统EMI性能。
MB570PFER支持宽范围的工作温度（-55°C至+150°C），确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围模块等严苛应用场景。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其具备高可靠性和长期耐久性。内置的静电放电（ESD）保护结构也增强了其在实际使用过程中的鲁棒性，减少了因操作不当引发的失效风险。
MB570PFER广泛用于各类高效率电源管理系统中，如智能手机、平板电脑和其他便携式消费类电子产品中的DC-DC降压变换器和同步整流电路。它也常被用作电池管理系统的负载开关或热插拔控制器中的主控开关元件，凭借其低导通电阻和快速响应特性，有效降低待机功耗并防止浪涌电流冲击。在LED驱动电源设计中，该MOSFET可用于恒流调节拓扑结构，提供稳定的输出性能。此外，由于其具备良好的热管理和高频开关能力，也被应用于服务器主板、网络通信设备中的多相电压调节模块（VRM）。在轻型电动工具、无人机电源模块以及车载信息娱乐系统等对体积和效率要求较高的领域，MB570PFER同样展现出强大的竞争力。
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"DMG2305UX",
"SI2305DS",
"AO3400A",
"FDS6680A"
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