类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：-150V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：-150V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：-6V
　　最大集电极电流（IC）：-100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW（@25°C）
　　直流电流增益（hFE）：40~320（典型值，测试条件IC = -2mA）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

MB508P作为一款高性能的PNP晶体管，其最显著的特性之一是具备高达-150V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），这使得它能够在高压环境下稳定运行，适用于如高压开关电源、逆变器驱动电路以及需要承受瞬态高压脉冲的场合。这一高耐压能力不仅提升了系统的安全裕度，还减少了对外部分立保护元件的需求，从而简化了电路设计并降低了整体成本。
　　另一个关键特性是其良好的直流电流增益（hFE）表现，典型值范围为40至320，具体取决于工作电流。这种宽范围的增益特性使MB508P能够适应多种偏置条件下的放大与开关应用，在小信号放大电路中可提供稳定的增益响应，而在数字开关电路中则能实现快速可靠的导通与关断。此外，该器件具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在-150mV左右（IC = -50mA, IB = -5mA条件下），这意味着在导通状态下能量损耗较小，有助于提升系统效率并减少散热需求。
　　MB508P采用SOT-23小型表面贴装封装，具有优良的热传导性能和空间利用率，非常适合自动化贴片生产流程。该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色制造的要求。同时，器件在整个工作温度范围（-55°C至+150°C）内保持稳定的电气性能，表现出优异的环境适应能力，可在高温工业环境或低温户外设备中可靠运行。
　　此外，MB508P具备较高的截止频率（fT）——达到150MHz，表明其在高频信号处理方面也具有一定能力，虽然主要定位为通用放大/开关用途，但仍可用于中频范围内的模拟信号放大场景。综合来看，MB508P以其高耐压、良好增益、低饱和压降和紧凑封装等多重优势，成为众多高压、小功率应用中的理想选择。

MB508P因其高耐压特性和稳定的电气性能，被广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，常用于LCD背光驱动电路、电池供电设备的电源管理模块以及便携式仪器中的信号切换与电平转换功能。其SOT-23封装的小尺寸优势特别适合智能手机、平板电脑和其他追求轻薄化设计的产品。
　　在工业控制领域，MB508P可用于继电器驱动电路、传感器接口放大器以及PLC（可编程逻辑控制器）中的开关节点，利用其高击穿电压来隔离不同电位区域，增强系统的抗干扰能力和安全性。此外，在高压电源系统中，如DC-DC转换器、AC-DC整流后级稳压电路中，MB508P可用作过压保护开关或反馈环路中的调节元件，防止异常电压损坏后续负载。
　　通信设备中也常见MB508P的身影，尤其是在电话线路接口、调制解调器和网络终端设备中，用于实现信号耦合与阻抗匹配。其150MHz的过渡频率使其能够处理一定速率的数字信号，在低速数据传输路径中充当缓冲或倒相器角色。
　　另外，在汽车电子系统中，尽管并非专为车规级设计，但在非关键辅助电路如车内照明控制、门锁驱动或车载充电器的小信号处理部分，MB508P仍可发挥其高可靠性和成本效益的优势。总体而言，该器件适用于所有需要在小电流条件下进行高压信号控制或放大的应用场景，是工程师在通用模拟与数字混合电路设计中的常用元件之一。

MMBT508P
　　FMMT508P
　　KSC508P