时间：2025/12/28 9:01:42
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MB504LPF是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的高压、高侧N沟道功率MOSFET，专为高频开关电源应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频工作条件下实现更高的效率和更低的功耗。MB504LPF特别适用于需要高电压耐受能力与紧凑封装的现代电源系统，如LED照明驱动器、DC-DC转换器以及工业电源模块等场景。其设计注重热性能和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力，增强了在瞬态电压冲击下的鲁棒性。此外，MB504LPF符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对可靠性和长期稳定性要求较高的工业和车载电子设备。器件封装为SOP-8L（表面贴装），有助于提高PCB布局灵活性并降低寄生电感，进一步提升开关性能。
型号：MB504LPF
制造商：ROHM Semiconductor
封装/外壳：SOP-8L
极性：N沟道
漏源电压(Vdss)：500V
连续漏极电流(Id)@25°C：0.8A
脉冲漏极电流(Idm)：3.2A
导通电阻(Rds On)@Id,Vgs条件：6.5Ω@0.8A,10V
栅极阈值电压(Vgs th)：3V ~ 4V
栅源电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：1.5W
工作结温(Tj)：-55℃ ~ 150℃
输入电容(Ciss)：23pF @ 25V
输出电容(Coss)：9pF @ 25V
反向传输电容(Crss)：0.6pF @ 25V
开启延迟时间(td(on))：12ns
上升时间(tr)：17ns
关断延迟时间(td(off))：45ns
下降时间(tf)：15ns
MB504LPF的核心优势在于其优异的高压处理能力和高效的开关性能。该MOSFET具有高达500V的漏源击穿电压（Vdss），使其非常适合用于离线式开关电源和AC-DC转换器中，能够直接连接到整流后的市电电压而无需额外的降压电路。同时，其低至6.5Ω的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，这对于追求节能和小型化的现代电子设备尤为重要。
该器件采用了优化的沟道结构和工艺，实现了低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），从而减少了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频操作下表现更为突出。例如，在典型的100kHz至500kHz开关频率范围内，MB504LPF展现出比传统MOSFET更低的动态损耗，有助于减小散热需求并提升功率密度。
MB504LPF还具备出色的热稳定性与长期可靠性。其最大工作结温可达150°C，确保在高温环境或高负载条件下仍能安全运行。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险，提升系统EMI兼容性。
SOP-8L封装不仅节省空间，而且引脚布局经过优化，可有效减少源极寄生电感，改善开关瞬态响应。这种封装形式支持自动化贴片生产，适合大规模制造应用。综合来看，MB504LPF凭借其高耐压、低损耗、高可靠性及紧凑封装，成为中等功率开关电源设计中的理想选择。
MB504LPF广泛应用于多种需要高电压、高效率开关控制的电子系统中。典型应用包括LED照明驱动电源，特别是用于交流供电的LED灯泡和灯具，其高耐压特性允许直接接入整流后的高压直流母线，简化电路设计并提升可靠性。在离线式反激变换器（Flyback Converter）中，MB504LPF常作为主开关管使用，适用于适配器、充电器和小型电源模块等产品。
此外，该器件也适用于工业控制电源、智能电表、家用电器中的辅助电源（Auxiliary Power Supply）以及光伏逆变器中的偏置电源部分。由于其通过AEC-Q101认证，因此也可用于汽车电子系统中的非牵引类高压电源管理单元，如车载信息娱乐系统的DC-DC转换器或LED车灯驱动电路。
在通信设备和网络基础设施中，MB504LPF可用于构建隔离式DC-DC电源模块，提供稳定的电压转换功能。其高频开关能力使得磁性元件尺寸得以缩小，有利于实现更高集成度的设计。总之，任何需要在有限空间内实现高效、高电压开关的应用场景，都是MB504LPF的适用领域。
APX504PBF
