MB503PF-G-BND 时间：2025/9/22 21:25:40 阅读：21

MB503PF-G-BND是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的高性能SiC肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode），专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用第三代碳化硅（SiC）材料制造，具有优异的开关特性、低正向导通压降和近乎零反向恢复电荷，适用于各类要求严苛的电力电子应用。MB503PF-G-BND的额定电压为1200V，平均正向整流电流为5A，采用TO-252（D-Pak）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺。作为一款无PN结的肖特基型二极管，它在高频开关过程中不会产生传统双极性二极管的反向恢复电流，从而显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统整体能效。此外，该器件支持高达175°C的结温工作，可在高温环境下稳定运行，是替代传统硅快恢复二极管（FRD）的理想选择。MB503PF-G-BND广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源及PFC（功率因数校正）电路中，尤其在追求小型化、高效化和高可靠性的现代电力转换系统中表现出色。

参数

型号：MB503PF-G-BND
　　类型：SiC肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　最大直流反向电压（VR）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A
　　正向电压（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 5A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：10μA（典型值，@ VR = 1200V, TJ = 25°C）；500μA（@ VR = 1200V, TJ = 150°C）
　　反向恢复时间（trr）：≈0ns（无少子存储效应）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（D-Pak）

特性

MB503PF-G-BND的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性，使其在高压、高频和高温应用场景下表现远优于传统硅基二极管。首先，该器件具有极低的正向导通压降（VF），在5A电流下典型值仅为1.7V，这显著降低了导通损耗，提高了能量转换效率。相较于传统的硅快恢复二极管，其VF随温度变化较小，具备更稳定的温度特性，有助于系统在宽温范围内保持高效运行。其次，由于SiC肖特基结构不存在少子注入和存储效应，因此该二极管在关断过程中几乎不产生反向恢复电流（IRR）和反向恢复电荷（Qrr），从而消除了开关过程中的动态损耗，大幅减少电压尖峰和电磁干扰，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　此外，MB503PF-G-BND具备出色的高温工作能力，最大结温可达175°C，允许器件在高温环境下长期稳定运行，减少了对复杂散热系统的需求，有利于实现设备的小型化和轻量化。其TO-252封装形式不仅便于自动化贴装，还具备良好的热传导性能，能够有效将内部热量传递至PCB，进一步增强散热能力。该器件还具有极低的反向漏电流，在常温下仅为10μA，在150°C高温下也控制在500μA以内，确保了在高电压阻断状态下的低静态功耗。同时，其高耐压能力（1200V）使其适用于多种工业级和新能源领域的高压应用，如光伏逆变器和车载充电机。总体而言，MB503PF-G-BND凭借其优异的材料特性、高效的电学性能和可靠的封装技术，成为现代高功率密度电源系统中不可或缺的关键元件。

应用

MB503PF-G-BND广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于大功率AC-DC和DC-DC转换器中的续流或输出整流环节，尤其是在连续导通模式（CCM）的PFC电路中，其零反向恢复特性可显著降低主开关管（如SiC MOSFET或IGBT）的开通损耗，提高整体能效。在太阳能光伏逆变器中，该器件被用于直流侧升压电路，帮助实现高电压增益和高转换效率，同时其高温耐受能力适应户外恶劣环境。在电动汽车相关系统中，MB503PF-G-BND可用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，支持高功率密度设计，并提升充电效率。此外，在服务器电源、通信电源等高可靠性要求的场合，该二极管有助于实现80 PLUS钛金等级以上的能效标准。其小型化封装也适用于空间受限的设计场景。