MB4754P-G 时间：2025/8/8 20:31:54 阅读：28

MB4754P-G 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性。MB4754P-G 采用标准的 TO-252（DPAK）封装，便于在各种电源管理和功率转换电路中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：120 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：480 A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.4 mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

MB4754P-G 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的 RDS(on) 典型值为 5.4 mΩ，在高电流应用中能够显著减少功耗和热量生成。此外，MB4754P-G 的最大漏极电流可达 120 A，支持在高功率密度设计中使用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。TO-252 封装不仅提供了良好的散热能力，还确保了器件在高温环境下仍能稳定工作。该器件的最高工作温度可达 150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　MB4754P-G 还具备良好的栅极驱动兼容性，可与常见的 PWM 控制器或驱动 IC 配合使用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频工作的稳定性。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或瞬态条件下提供可靠的保护。
　　ROHM 的 MB4754P-G 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，确保了优异的电气性能和长期可靠性。该器件广泛应用于服务器电源、通信设备、电动工具、电池管理系统（BMS）以及车载电源系统等高性能需求的领域。

应用

MB4754P-G 主要用于需要高效率和大电流能力的电源转换系统。常见应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、高功率 LED 驱动电路以及汽车电子中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于高频开关应用，以提升整体系统的能效和可靠性。