时间：2025/12/28 9:28:18
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MB40768H是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的1Mbit（128K × 8位）CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能、低功耗的全互补金属氧化物半导体（CMOS）技术制造，专为需要高速数据存取和高可靠性的嵌入式系统与通信设备设计。该器件具有标准的异步SRAM接口，兼容工业标准的SRAM引脚排列，便于在现有系统中进行替换或升级。MB40768H支持宽电压工作范围，通常在3.3V±0.3V供电条件下运行，具备低待机电流和主动工作电流优化设计，适用于对功耗敏感的应用场景。该芯片封装形式为44引脚TSOP（薄型小外形封装）或48引脚FBGA等小型化封装，适合高密度PCB布局。其内部结构采用先进的存储单元设计，确保数据保持稳定，并具备出色的抗干扰能力和温度适应性，工作温度范围一般覆盖工业级标准（-40°C至+85°C）。MB40768H广泛应用于网络设备、工业控制、打印机、传真机、汽车电子及消费类电子产品中，作为高速缓存或临时数据存储单元。由于其非易失性以外的特性，通常需配合电池或备用电源实现数据持久保存，在系统掉电时维持内容不丢失。富士通在SRAM领域拥有长期的技术积累，MB40768H体现了其在可靠性、性能与集成度方面的综合优势。
容量：1Mbit (128K × 8)
电压范围：3.0V 至 3.6V，典型值3.3V
访问时间：最大70ns / 55ns / 45ns（根据速度等级）
工作电流：典型值当f = 33MHz时为50mA（运行模式）
待机电流：最大3μA（CMOS待机模式）
输入/输出逻辑电平：兼容TTL和LVTTL
封装类型：44-pin TSOP Type II 或 48-ball FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
静电放电（ESD）耐受能力：≥ 2000V HBM
可靠性数据：数据保持时间 ≥ 10年（在最低温度下）
数据保持电压：≥ 2.0V
引脚配置：标准字节模式，8位数据总线（I/O0-I/O7）
控制信号：片选（CE）、输出使能（OE）、写使能（WE）
