时间：2025/9/24 14:05:06
阅读：9
MB3882PFV-G-BND-ERE1是一款由富士通（现为罗姆半导体集团的一部分）生产的高效率、低功耗的直流-直流降压转换器（Buck Converter）集成电路，专为便携式电子设备和需要高效电源管理的应用而设计。该芯片采用同步整流技术，能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压，并具备多种保护功能以增强系统的可靠性。MB3882PFV广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间和能效有严格要求的消费类电子产品中。该器件封装小巧，适合高密度PCB布局，同时支持可调节输出电压模式，允许用户根据具体应用需求灵活配置。其工作频率高达数MHz，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而进一步缩小整体解决方案的体积。此外，该IC还集成了软启动功能，有效抑制上电过程中的浪涌电流，提升系统稳定性。
此型号后缀“-G-BND-ERE1”通常表示其符合RoHS环保标准，采用无铅封装，并可能经过特定的卷带包装处理，适用于自动化贴片生产线。MB3882PFV系列以其高集成度、低静态电流和良好的瞬态响应特性，在电池供电系统中表现出色，能够显著延长设备的待机时间。由于该产品已归属于罗姆半导体的产品线，因此在选型和采购时应参考罗姆官方发布的最新数据手册和技术支持文档，以确保兼容性和长期供货能力。
型号：MB3882PFV-G-BND-ERE1
制造商：ROHM Semiconductor（原 Fujitsu）
器件类型：同步降压DC-DC转换器
输入电压范围：2.5V 至 5.5V
输出电压范围：0.8V 至 3.6V（可调）
最大输出电流：1.2A
开关频率：典型值 2.2MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
静态电流：约 25μA（关断模式下更低）
控制方式：电流模式PWM控制
封装形式：DFN(5x6)
引脚数：10
集成MOSFET：内置高低侧功率MOSFET
保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定（UVLO）
特殊功能：软启动、强制PWM模式或自动PWM/PFM切换模式可选
MB3882PFV-G-BND-ERE1具有卓越的动态响应能力和高转换效率，尤其在轻载条件下通过PFM（脉冲频率调制）模式实现极低的功耗，非常适合电池驱动设备的节能需求。其内部集成的上下桥臂N沟道MOSFET不仅提高了功率密度，还减少了对外部元件的依赖，简化了电路设计。芯片采用电流模式控制架构，使得环路稳定性易于设计，并且对外部组件的变化不敏感，提升了批量生产的一致性。高频开关操作（2.2MHz）使得可以使用小型陶瓷电感和电容，大幅缩减外围元件占用的空间，有利于紧凑型终端产品的开发。
该器件支持强制PWM模式与自动PWM/PFM模式之间的切换，用户可通过MODE引脚进行控制。在强制PWM模式下，即使负载较轻，也能保持恒定的开关频率，避免噪声频谱跳跃，适用于对电磁干扰（EMI）敏感的应用场景；而在自动切换模式下，系统可根据负载情况自动选择最合适的调制方式，优化整体能效。软启动功能通过内部固定时间斜率控制输出电压上升速率，防止启动时产生过大冲击电流，保护输入电源及后级电路。
保护机制方面，MB3882PFV集成了全面的安全功能，包括逐周期过流保护（OCP），当检测到异常大电流时会立即限制或关闭输出；热关断（TSD）功能则在芯片温度超过安全阈值时自动切断输出，待温度下降后恢复运行，确保长期工作的可靠性。此外，欠压锁定（UVLO）机制保证只有当输入电压达到正常工作所需最低水平时才启动芯片，避免因电源不稳定导致误动作。
DFN(5x6)封装具有优良的散热性能和较小的寄生参数，适用于高功率密度设计。整个封装结构符合工业级环境要求，支持无铅焊接工艺，满足现代绿色电子制造的标准。由于其高度集成化的设计理念，工程师可以在有限的PCB面积内实现高性能电源解决方案，特别适用于移动通信模块、传感器供电轨、音频子系统等对噪声和效率都有较高要求的场合。
MB3882PFV-G-BND-ERE1主要应用于各类便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备，作为主处理器、内存或传感器模块的供电电源。它也广泛用于无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）、便携式医疗设备、物联网终端节点以及小型嵌入式控制系统中，提供稳定高效的电压转换。由于其低静态电流和高效率特性，特别适合由锂电池供电且要求长续航时间的应用场景。此外，该芯片还可用于工业传感器、便携式测试仪器和低功耗微控制器系统的电源管理单元，满足对小型化和低噪声电源的需求。在需要多路电源轨设计的系统中，它可以作为辅助电源或中间电压源使用，配合LDO或其他DC-DC转换器构建完整的电源树结构。其高频操作能力也有助于减少电磁干扰（EMI）滤波组件的数量，降低系统成本并提高可靠性。
BD9C101FVM-LB
