型号：MB15U36PFV-G-BND
　　制造商：Renesas Electronics
　　封装类型：QFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　供电电压：3.3V 或 5V 可选
　　输出频率范围：最高可达6.0 GHz
　　参考输入频率：最高支持200 MHz
　　相位噪声典型值：-110 dBc/Hz @ 10 kHz偏移（典型）
　　分辨率：亚赫兹级（fractional-N模式）
　　锁定时间：典型值小于100 μs
　　通信接口：三线或四线串行接口（SPI兼容）
　　集成VCO驱动能力：支持外部VCO或VCXO
　　分频比可编程性：支持整数N和分数N模式
　　RF输出电平：典型0 dBm至+5 dBm
　　谐波抑制：优于-30 dBc
　　电源电流：典型60 mA（具体取决于工作模式）

MB15U36PFV-G-BND具备先进的分数-N锁相环架构，结合高阶Σ-Δ调制技术，显著降低了杂散信号水平并提高了频率分辨率，使其能够在亚赫兹级别精确调节输出频率。该芯片内置低噪声数字鉴频鉴相器（PFD），有效减少相位误差，提升整体系统信噪比。其高度可编程性允许用户通过SPI接口灵活配置N分频比、参考分频比、输出分频比以及多种工作模式（如待机、低功耗、快速锁定等），满足不同应用场景下的性能需求。芯片内部集成了自动校准引擎，可在上电或环境变化时动态调整内部电路参数，确保长期频率稳定性和温度适应性。
　　该器件支持双模预分频器结构，可在高频段保持良好的噪声性能与功耗平衡。其RF输出级经过优化设计，可直接驱动后续的混频器、ADC或射频放大器，减少了对外部缓冲电路的依赖。此外，MB15U36PFV-G-BND具备出色的抗干扰能力和EMI抑制特性，适合在复杂电磁环境中稳定运行。片内还集成了多种诊断功能，如锁定检测（Lock Detect）、故障报警输出和寄存器状态回读，便于系统实时监控和调试。得益于Renesas先进的BiCMOS工艺，该芯片在实现高频操作的同时仍能维持较低的功耗水平，特别适合便携式或高密度部署的射频模块使用。其小型化QFN封装不仅节省PCB面积，还提供了良好的热传导和接地性能，进一步增强了高频工作的可靠性。

MB15U36PFV-G-BND广泛应用于各类高性能射频和通信系统中。在无线通信领域，它被用作基站收发信机中的本地振荡器（LO），为上变频和下变频过程提供稳定的高频激励信号。在测试与测量仪器中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，该芯片因其超低相位噪声和高频率精度而成为核心时钟源组件。在宽带有线电视（CATV）和光纤接入网络中，MB15U36PFV-G-BND用于生成多频道载波信号，确保频道间间隔精准且互调失真小。
　　此外，该器件也适用于雷达系统、卫星通信终端和微波回传链路设备，其中对频率跳变速度和长期稳定性有极高要求。在软件定义无线电（SDR）平台中，其快速锁定能力和宽调谐范围使得系统能够实现多频段、多标准的动态切换。工业自动化和精密仪器中，该芯片可用于高精度时钟同步和数据采集系统的采样时钟恢复。由于其支持外部VCO扩展，因此也可构建混合型频率合成方案，以适应特定频段或定制化输出需求。总体而言，MB15U36PFV-G-BND适用于所有需要高集成度、高性能和高可靠性的频率合成场景。

MB15U35PFV-G-BND
　　MB15E07LN
　　LTC6948
　　ADE7108
　　MAX2871