型号：MB15F72ULPVA-G-EFE1
　　制造商：Renesas Electronics
　　封装类型：WLCSP
　　工作电压范围：1.7V ~ 3.6V
　　最大工作频率：约7000MHz
　　输出频率范围：15 MHz ~ 7 GHz
　　相位噪声典型值（@1GHz, 100kHz偏移）：-115 dBc/Hz
　　参考输入频率范围：100 kHz ~ 100 MHz
　　鉴相器频率最大值：200 MHz
　　分辨率：1 Hz 或更高（依赖于配置）
　　接口类型：3线或4线SPI
　　电流消耗（正常工作模式）：约3.5 mA
　　电流消耗（待机模式）：< 1 μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　技术工艺：SiGe BiCMOS
　　集成VCO：否（需外接VCO）

MB15F72ULPVA-G-EFE1的核心特性之一是其超低功耗架构设计，特别针对长期运行且依赖电池供电的物联网终端设备进行了优化。该芯片在正常工作状态下仅消耗几毫安电流，在非活动期间可通过SPI命令进入深度睡眠模式，静态电流低于1微安，显著延长了设备的续航时间。这种节能机制结合快速启动能力，使得系统能够在短时间内唤醒、完成频率切换并重新锁定，随后再次进入低功耗状态，非常适合间歇性通信的应用场景。
　　该器件采用先进的分数-N架构，配合高阶Δ-Σ调制器，有效降低了输出信号中的带内噪声和杂散成分。相比传统的整数-N PLL，它可以在不牺牲频率分辨率的前提下大幅减少N分频比，从而改善相位噪声表现并加快锁定速度。同时，其内置的自动校准引擎可确保在不同工艺、电压和温度（PVT）条件下维持稳定可靠的锁定行为，避免因外部环境变化导致失锁问题。
　　另一个重要特性是其高频覆盖能力，支持从15 MHz到高达7 GHz的广泛输出频率范围，涵盖多个ISM频段（如433 MHz、868 MHz、915 MHz、2.4 GHz、5 GHz等），因此可用于多频段或多标准无线模块的设计。尽管该芯片本身未集成压控振荡器（VCO），但其输出缓冲驱动能力强，可直接驱动外部VCO，并支持差分或单端反馈输入，增强了电路设计的灵活性。
　　SPI控制接口支持最多32位寄存器写入操作，允许用户精确配置各个功能模块，包括R计数器（参考分频）、A/B计数器（主分频）、锁定检测窗口、电荷泵增益、静音模式等。此外，片上还集成了数字锁定检测（DLDT）功能，可通过专用引脚或SPI读取状态位来判断PLL是否已成功锁定，便于主控MCU进行同步管理和错误处理。整个架构经过高度集成化设计，减少了外围元件数量，提高了系统可靠性并降低了整体成本。

MB15F72ULPVA-G-EFE1广泛应用于对功耗、尺寸和射频性能有严格要求的无线通信系统中。典型使用场景包括工业物联网（IIoT）中的无线传感器网络节点，这些设备通常部署在难以更换电池的环境中，必须依靠极低的平均功耗维持多年运行。在此类系统中，该芯片负责生成本地振荡信号，供收发器芯片进行上变频或下变频处理，确保数据传输的频率准确性和稳定性。
　　在智能家居与楼宇自动化领域，该器件可用于Zigbee、Thread、Wi-SUN等协议的无线模块设计，特别是在门磁传感器、温湿度探头、烟雾报警器等小型化终端产品中发挥重要作用。由于其支持GHz以下和2.4GHz频段，能够满足多种区域性无线标准的需求，有助于实现全球化兼容的产品设计。
　　此外，该芯片也适用于资产追踪标签、医疗可穿戴设备、远程抄表（AMR）系统等需要长距离通信和低功耗特性的应用。例如，在基于LoRa或Sigfox技术的广域网连接设备中，MB15F72ULPVA-G-EFE1可作为频率合成核心，提供稳定的本振源，保障远距离信号的有效解调。
　　在测试与测量仪器方面，该器件也可用于便携式频谱分析仪、信号发生器前端或频率转换模块中，利用其高分辨率和优良的相位噪声特性生成精准的激励信号。其小尺寸封装也有利于构建紧凑型手持设备。总体而言，这款PLL频率合成器凭借其宽频带、低功耗和高集成度优势，已成为现代低功耗射频系统中的关键组件之一。

MB15F71ULPVA-G-EFE1
　　MB15F73ULPVA-G-EFE1
　　LMX2594
　　ADF4371
　　MAX2871