时间:2025/12/28 9:38:06
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MB1426CR-G是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的光耦合器(光电耦合器),广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件采用高效率的发光二极管(LED)与集成有基极引出端的光敏三极管构成,能够实现输入与输出之间的良好电绝缘性能。MB1426CR-G属于晶体管输出型光电耦合器,具备较高的电流传输比(CTR),适合在低功耗和高稳定性的应用场景中使用。其封装形式为DIP-4(双列直插式4引脚),符合行业通用标准,便于PCB布局和自动化装配。该产品通过了多项国际安全认证,适用于工业控制、电源管理、通信设备等对可靠性要求较高的领域。MB1426CR-G的工作温度范围较宽,能够在-55°C至+110°C的环境下稳定运行,适应严苛的应用条件。此外,该器件具有良好的抗干扰能力和长期稳定性,能够在高湿度、高温或存在电磁噪声的环境中保持正常工作。由于其优异的隔离电压能力(通常可达5000VRMS以上),MB1426CR-G被广泛用于交流/直流电源适配器、逆变器、PLC模块以及各种隔离接口电路中。
型号:MB1426CR-G
制造商:Rohm Semiconductor
器件类型:光电晶体管输出光耦
引脚数:4
封装类型:DIP-4
最大集电极-发射极电压:80V
最大集电极电流:50mA
隔离电压:5000VRMS
电流传输比(CTR):50%~600%(典型值)
正向电压(VF):1.2V(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +110°C
存储温度范围:-55°C ~ +125°C
最大功耗:150mW
上升时间:3μs
下降时间:3μs
MB1426CR-G具备出色的电气隔离性能,其内部结构由一个红外发光二极管和一个硅NPN光敏三极管组成,两者之间通过光学方式耦合,物理上完全隔离,从而有效防止高压瞬态对低压控制电路的影响。这种设计使得它在开关电源反馈回路中扮演关键角色,能够精确传递信号的同时阻断地环路干扰。该器件的电流传输比(CTR)范围宽广,典型值在50%到600%之间,意味着即使在较小的输入电流下也能驱动足够的输出电流,提高了系统的能效并降低了驱动电路的设计难度。
其响应时间较快,上升和下降时间均为3微秒左右,足以满足大多数中速数字信号隔离需求。这使其不仅适用于模拟信号隔离,也适合于数字通信中的电平转换和噪声抑制。此外,MB1426CR-G的LED侧具有良好的光辐射效率,配合优化的封装材料,确保了长时间工作的亮度衰减小,提升了整体寿命和可靠性。
该器件支持宽温工作范围,在极端高低温条件下仍能保持稳定的性能表现,特别适合部署在户外设备、工业现场或汽车电子系统中。其DIP-4封装形式不仅兼容传统通孔焊接工艺,也可用于表面贴装回流焊流程,增强了生产灵活性。更重要的是,MB1426CR-G符合RoHS环保指令要求,不含铅、镉等有害物质,符合现代绿色电子产品的发展趋势。
MB1426CR-G常用于各类需要电气隔离的控制系统中。例如,在开关电源(SMPS)中作为反馈元件,用于将次级侧的电压信息传送到初级侧控制器,实现闭环稳压功能,同时避免高压侧对控制IC造成损害。在可编程逻辑控制器(PLC)输入/输出模块中,该光耦可用于隔离外部传感器或执行器信号,提升系统的抗干扰能力和安全性。此外,它也被广泛应用于逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器以及工业通信接口(如RS-485隔离)等场景。
在医疗设备中,为了满足严格的安规要求,常常使用此类高隔离电压的光耦来保护操作人员免受电击风险。在楼宇自动化系统和智能电表中,MB1426CR-G可用于隔离计量单元与通信模块,防止雷击或电网波动导致的数据错误或设备损坏。由于其具备较强的抗电磁干扰能力,因此在高频开关环境或强电磁场区域依然可以稳定工作,是构建高可靠性嵌入式系统不可或缺的基础元件之一。
EL357C-B-F, PC817X1NIP0F, TLP521-GB