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MB115_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 20:36:14 查看 阅读:22

MB115_R1_00001 是一款由 Melexis 公司推出的单线性霍尔效应传感器集成电路,专为高精度线性磁场测量而设计。该器件广泛应用于汽车、工业和消费电子领域,例如用于位置检测、角度测量、无刷直流电机控制等。MB115_R1_00001 采用单电源供电,具有高灵敏度、低偏移和温度稳定性,确保在各种工作条件下提供可靠和准确的磁场感应。

参数

供电电压:4.5V 至 5.5V
  输出类型:模拟电压输出
  磁灵敏度:1.6 mV/G
  偏移电压:±1.5 mV
  工作温度范围:-40°C 至 125°C
  封装类型:SOT23-5

特性

MB115_R1_00001 是一款高精度线性霍尔效应传感器,具有优异的温度稳定性和低偏移特性,适用于在严苛环境下进行磁场测量。该器件内部包含一个高灵敏度的霍尔探头和一个高精度的放大器,能够将检测到的磁场强度转换为成比例的模拟电压输出。MB115_R1_00001 的模拟输出可以直接连接到微控制器的 ADC 引脚,便于进行进一步的信号处理和控制。该传感器采用小型 SOT23-5 封装,节省空间并适用于紧凑型设计。此外,其宽工作温度范围和抗电磁干扰能力使其在汽车电子和工业自动化系统中表现出色。
  该器件的一个显著优势是其高线性度和重复性,确保在不同磁场强度下仍能保持测量精度。此外,MB115_R1_00001 设计有内置的温度补偿电路,以减少温度变化对测量结果的影响,从而提升整体系统性能。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备。

应用

MB115_R1_00001 常用于汽车电子系统,如油门踏板位置检测、转向角度测量和电动助力转向系统(EPS)。在工业自动化领域,该传感器可用于电机控制、磁编码器和位置检测系统。此外,MB115_R1_00001 也可用于消费电子产品,如智能家电、无人机和机器人系统中的磁场感应应用。其高精度和稳定性使其成为需要可靠磁场测量的理想选择。

替代型号

MLX90248, A1326, UGN3505U

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MB115_R1_00001参数

  • 现有数量780现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)800 : ¥1.41499卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 150 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商器件封装SMB(DO-214AA)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C