MB114F034CR-G 时间：2025/9/22 19:00:52 阅读：8

MB114F034CR-G是一款由Rohm Semiconductor生产的高速光耦合器（光电耦合器），广泛用于需要电气隔离的信号传输应用中。该器件集成了一个高效率的发光二极管（LED）和一个高性能的光电探测器，封装在紧凑的4引脚SOIC封装中，提供可靠的电绝缘性能和抗噪声能力。MB114F034CR-G特别适用于工业自动化、电源系统、通信接口以及可编程逻辑控制器（PLC）等对信号完整性与系统安全要求较高的场合。该光耦具备优良的共模瞬态抗扰度（CMTI），能够在高噪声环境下稳定工作。此外，其高传输速度使其适合用于数字信号隔离，支持高达10Mbps以上的数据速率。产品符合RoHS和Green标准，属于环保型元器件。MB114F034CR-G通过了UL、CSA和VDE等国际安全认证，确保其在多种工业级应用场景中的合规性与可靠性。该器件的工作温度范围宽，通常为-55°C至+125°C，适应严苛环境下的长期运行需求。

参数

型号：MB114F034CR-G
　　类型：高速光耦合器
　　通道数：1
　　数据速率：最高10Mbps
　　电流传输比（CTR）：50%～600% @ IF=5mA, VCE=5V
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输出集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.3V（典型值）
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS（1分钟，UL1577）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-4
　　引脚数：4
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）
　　安全认证：UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5、EN60747-5-5（VDE0884-10）

特性

MB114F034CR-G采用先进的芯片制造工艺和优化的封装设计，实现了高速响应与高稳定性的完美结合。其内部LED采用高亮度AlGaAs材料，具有良好的光发射效率和长寿命特性，在低驱动电流下仍能保持高效的光输出，有助于降低系统功耗并提高整体能效。探测器部分使用高速硅光电晶体管，具备快速上升与下降时间（典型值分别为0.8μs和0.8μs），从而支持高频信号的精确传输，适用于高速数字隔离场景。
　　该器件的关键优势之一是出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值超过15kV/μs，能够有效抑制因高压开关或电磁干扰引起的瞬态噪声，防止误触发或信号失真，提升系统的抗干扰能力和稳定性。这对于变频器、伺服驱动器和开关电源等存在剧烈电压变化的应用尤为重要。
　　MB114F034CR-G还具备优异的电流传输比（CTR）一致性与温度稳定性，在宽温范围内（-55°C至+125°C）保持稳定的信号传递性能，减少因环境温度波动导致的性能衰减。同时，其老化特性经过严格控制，长期使用后CTR下降幅度小，保障系统长时间运行的可靠性。
　　封装方面，该器件采用SOIC-4小型化表面贴装封装，不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升制造效率。内部绝缘层采用高耐压聚酰亚胺材料，提供高达5000VRMS的隔离电压，满足工业设备对电气安全的严格要求。此外，产品通过多项国际安全标准认证，包括UL、CSA和VDE，适用于全球范围内的工业与消费类电子设备设计。

应用

MB114F034CR-G主要用于各类需要电气隔离的数字信号传输系统中。在工业控制领域，常用于PLC输入/输出模块、远程I/O系统、工业网络通信接口（如RS-485、CAN总线隔离）等，实现控制器与现场设备之间的安全隔离，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。
　　在电源管理系统中，该光耦可用于开关电源（SMPS）的反馈回路，将次级侧的电压或电流检测信号隔离传送到初级侧PWM控制器，实现闭环稳压控制，同时维持初级与次级之间的绝缘要求。
　　此外，它也广泛应用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变器和电机驱动器中的栅极驱动信号隔离，确保功率级与控制级之间的可靠隔离，提升系统安全性与抗噪能力。
　　在医疗电子设备、测试测量仪器以及楼宇自动化系统中，MB114F034CR-G同样发挥着重要作用，用于隔离敏感电路与外部接口，避免噪声耦合与漏电流风险，满足相关安全规范。其高可靠性与宽温特性使其成为恶劣工业环境中理想的信号隔离解决方案。