类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值）@ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：134W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

MB113F326PD-G 采用先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻更低，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。其最大漏源电压为 60V，最大漏极电流可达 60A，适用于高功率密度设计。该器件的导通电阻仅为 3.2mΩ，确保在高电流条件下也能保持较低的导通损耗，适合用于高频开关应用。此外，其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在恶劣的工业环境中保持长期可靠运行。其 ±20V 的最大栅源电压范围提供了更宽的驱动电压容限，增强了设计的灵活性。此外，MB113F326PD-G 的低栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，提高能效，适用于高效率电源转换系统。ROHM 还提供详细的器件文档和技术支持，方便工程师进行电路设计和优化。

MB113F326PD-G 主要用于各种高功率电子设备中，包括 DC-DC 转换器、电源供应器、电机驱动器、逆变器以及电池管理系统。在工业自动化设备中，它可用于高效能电源管理模块和负载开关控制。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如电动车辆的功率转换器和电池管理系统。在消费类电子产品中，MB113F326PD-G 可用于高功率适配器、不间断电源（UPS）和 LED 照明驱动电路。由于其优异的导通性能和高可靠性，该 MOSFET 在需要高效能、高稳定性的应用中表现出色。

SiHF60N60E, IRFZ44N, FDP60N06