时间：2025/12/28 16:10:02
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MAZS039G0L 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用场景。MAZS039G0L采用小型表面贴装封装，具有良好的热管理和空间节省优势，适合现代电子设备对高功率密度和高可靠性的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP（Small Outline Package）
安装方式：表面贴装
MAZS039G0L MOSFET采用了东芝先进的沟槽式结构设计，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，从而显著降低了功率损耗，提高了系统效率。
其低Rds(on)特性使得在高电流工作条件下，器件的温升控制在合理范围内，提升了系统的稳定性和可靠性。
该器件支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
此外，MAZS039G0L具备±20V的栅极电压耐受能力，增强了其在高压驱动和瞬态电压环境下的稳定性和耐用性。
该MOSFET采用SOP封装形式，具有良好的热管理性能，同时便于自动化生产和高密度PCB布局。
其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛工作环境的应用需求。
MAZS039G0L广泛应用于各类需要高效功率管理的电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源模块以及汽车电子控制系统等。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计中，例如在便携式设备中用于延长电池续航时间，在工业设备中用于提高能效和降低发热。
此外，其优异的开关性能也使其适用于高频开关电源和需要快速响应的控制电路中，能够有效提升系统的整体性能。
TPH3R30ANL, IPB039N04NG, SiSS52DN
