供电电压范围：4.5V至28V
　　输出驱动电流：高端和低端各为1.5A/2A（峰值）
　　工作频率：最高可达1MHz
　　传播延迟：典型值为50ns
　　占空比范围：0%至100%
　　工作温度范围：-40°C至+125°C

MAX5026EUT/GH9具备双通道、高压侧和低压侧MOSFET驱动能力，能够承受高达+28V的电源电压，适用于多种拓扑结构的电源转换系统。其内置的欠压锁定（UVLO）功能确保在电源电压不足时关闭MOSFET，防止异常工作。该器件的驱动能力强，能够快速开关MOSFET，从而减少开关损耗并提高系统效率。此外，MAX5026EUT/GH9还集成了互锁保护功能，防止上下桥臂直通，确保系统稳定可靠。
　　该芯片的封装采用16引脚TSSOP形式，具有较高的集成度和较小的PCB占用空间，适合高密度设计。MAX5026EUT/GH9的高频操作能力使其适用于同步整流、推挽式转换器、半桥和全桥拓扑等高功率应用。其低静态电流设计有助于提升轻载效率，适用于对能效要求较高的系统。
　　在应用中，MAX5026EUT/GH9通常与PWM控制器配合使用，以实现对MOSFET的高效驱动。它具有较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境中稳定工作。此外，该芯片的快速响应特性使其适用于高频开关电源，提高电源转换效率的同时降低了电感和电容的尺寸需求。

MAX5026EUT/GH9广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动器、UPS系统、LED驱动电源以及电信和服务器电源系统。由于其高压和高频特性，该芯片特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。此外，它还可用于同步整流、逆变器和电池管理系统（BMS）中的MOSFET驱动。
　　在DC-DC转换器中，MAX5026EUT/GH9可用于驱动同步整流MOSFET，提升轻载和满载条件下的转换效率。在电机控制应用中，该芯片能够有效驱动H桥结构中的MOSFET，实现高效、可靠的电机运行控制。此外，在LED照明系统中，MAX5026EUT/GH9可用于驱动升压或降压型LED驱动电路，确保恒定的亮度控制和高效率运行。

LM5101B, IR2110, NCP5103, UCC27211