类型：射频开关
　　开关类型：单刀双掷（SPDT）
　　工艺技术：GaAs
　　工作频率：DC 至 6 GHz
　　插入损耗：典型值 0.4 dB（在 2 GHz 下）
　　隔离度：典型值 35 dB（在 2 GHz 下）
　　回波损耗：典型值 25 dB（在 2 GHz 下）
　　VSWR：典型值 1.4:1
　　功率处理能力：26 dBm（平均功率）
　　控制电压：正电压控制（通常为 0V 和 +5V）
　　封装类型：TSSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

MASWSS0161TR 射频开关芯片具备多项优异的电气和机械特性，使其在多种射频应用中表现出色。首先，其频率范围从直流到6 GHz，适用于广泛的射频和微波通信系统。插入损耗低至0.4 dB（在2 GHz下），这有助于最大限度地减少信号衰减，从而提高系统的整体效率。隔离度高达35 dB（在2 GHz下），确保了在不同通道之间的信号干扰最小化，这对于高频通信和测试设备尤为重要。
　　该芯片的回波损耗典型值为25 dB，在50Ω系统中提供了良好的阻抗匹配，从而减少了信号反射并提高了传输效率。VSWR为1.4:1，表明其在各种工作频率下都能保持良好的驻波比性能。此外，MASWSS0161TR支持高达26 dBm的平均功率处理能力，能够在较高功率的环境下稳定工作，适用于多种射频前端模块设计。
　　控制电压为正电压控制方式（0V 和 +5V），简化了与数字控制电路的接口设计，适用于现代射频系统的集成化需求。该芯片采用TSSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的热稳定性，非常适合在空间受限的便携式设备中使用。工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级温度环境，确保其在各种恶劣条件下的稳定运行。

MASWSS0161TR 主要应用于需要高性能射频切换功能的系统中。在无线通信领域，它常用于蜂窝基站、Wi-Fi接入点、毫米波通信设备等，用于天线切换或频段选择。在测试与测量设备中，该芯片可作为信号路径选择开关，用于多路信号测试和分析。此外，MASWSS0161TR 也广泛用于工业自动化控制系统、射频识别（RFID）系统、雷达和卫星通信等高频应用。
　　由于其低插入损耗和高隔离度特性，该芯片特别适合用于多频段移动设备的射频前端模块（FEM）中，实现不同频段之间的快速切换。在消费类电子产品中，如智能手机和平板电脑，MASWSS0161TR 可用于切换Wi-Fi、蓝牙、GPS等不同无线通信模块的天线路径，从而提高设备的无线连接性能和效率。
　　另外，该芯片在射频测试系统中也扮演着重要角色，例如在自动化测试平台（ATE）中用于多通道信号切换，帮助工程师高效地完成射频器件的性能评估和验证。

HMC472ALP4E, PE4259, RF1251, SKY13350-345LF