MASW4060G 时间：2025/12/28 13:30:02 阅读：8

MASW4060G 是一款由 MACOM（Microsemi Corporation）生产的 GaAs（砷化镓）单刀双掷（SPDT）射频开关芯片，主要面向高频和高性能的射频应用。该器件采用 pHEMT（假晶高电子迁移率晶体管）技术，具有低插入损耗、高隔离度和快速切换时间等优点，适用于通信系统、测试设备、国防和航空航天等领域的射频信号控制。

参数

频率范围：50 MHz - 6 GHz
　　插入损耗：典型值 0.45 dB（在 2 GHz 时）
　　隔离度：典型值 40 dB（在 2 GHz 时）
　　回波损耗：典型值 25 dB（在 2 GHz 时）
　　切换时间：典型值 100 ns
　　工作电压：+5V 和 -5V 双电源供电
　　控制电压：+3.3V 或 +5V 兼容 TTL/CMOS 电平
　　封装形式：16 引脚 QFN（4x4 mm）

特性

MASW4060G 的核心特性之一是其宽频率覆盖能力，支持从 50 MHz 到 6 GHz 的广泛频段，适用于多频段和宽带射频系统。其插入损耗非常低，在 2 GHz 频率下典型值仅为 0.45 dB，有助于保持信号强度并减少系统增益损失。同时，其隔离度高达 40 dB，确保在非导通状态下有效抑制信号串扰，提高系统信噪比。
　　该器件采用先进的 pHEMT 工艺制造，提供快速切换能力，切换时间仅为 100 ns，满足高速射频切换需求。此外，MASW4060G 支持 TTL/CMOS 电平控制，兼容多种数字控制电路，简化了系统集成。它还具有良好的线性度和高功率处理能力，额定输入功率可达 30 dBm，适合用于高要求的射频前端模块。
　　在封装方面，MASW4060G 采用 16 引脚 QFN（4x4 mm）封装，体积小巧且易于在高密度 PCB 设计中使用。其工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），适合在各种恶劣环境下稳定运行。