型号：MAS3507D-QG-F10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：DFN2020-6L
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：5.3mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=2.5V）：7.8mΩ
　　阈值电压Vth：典型值1.4V，范围1.0~2.0V
　　输入电容Ciss：典型值500pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：典型值190pF
　　反向传输电容Crss：典型值50pF
　　栅极电荷Qg（@VGS=4.5V）：典型值8.5nC
　　上升时间tr：典型值10ns
　　下降时间tf：典型值8ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻RθJA：约45°C/W（依PCB布局而定）
　　热阻RθJC：约2.5°C/W

MAS3507D-QG-F10采用先进的TrenchMOS工艺技术，这种深槽刻蚀结构显著提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时仅为5.3mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体电源转换效率。该器件在低栅压驱动条件下仍具备良好性能，在VGS=2.5V时RDS(on)为7.8mΩ，支持现代低压控制逻辑直接驱动，无需额外的电平转换电路，适用于由3.3V或更低电压MCU控制的电源系统。
　　其封装采用DFN2020-6L小型无铅封装，底部带有散热焊盘，能够通过PCB实现高效的热传导，提升功率处理能力，同时节省宝贵的板级空间，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。该封装还具有较低的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg典型值8.5nC）和输入电容（Ciss约500pF），使得在高频开关应用（如同步整流、负载开关、DC-DC降压变换器）中能够显著降低驱动损耗，提升开关速度，缩短开通和关断时间（tr≈10ns，tf≈8ns）。此外，其反向传输电容Crss较小，增强了器件的抗噪声能力，减少了米勒效应引起的误触发风险。
　　器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，结温范围可达-55°C至+150°C，满足工业级和消费类产品的严苛环境要求。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构。整体设计兼顾了高性能、小型化与节能需求，是现代高效电源管理系统的理想选择。

MAS3507D-QG-F10广泛应用于各类需要高效率、小尺寸功率开关的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、USB接口电源控制以及显示屏背光电源调节。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于同步降压转换器（Buck Converter）的上下管配置，尤其在多相VRM（电压调节模块）中表现优异，可用于为处理器、GPU或FPGA提供稳定的低压大电流供电。
　　此外，该器件也常用于DC-DC电源模块、POL（Point-of-Load）转换器、LED驱动电路以及热插拔控制器中。在电池管理系统（BMS）中，它可用于充放电通路的通断控制，凭借其低损耗特性延长电池续航时间。由于支持高脉冲电流（IDM达72A），也可用于电机驱动、继电器驱动或传感器供电等瞬态负载场景。
　　在工业控制领域，MAS3507D-QG-F10可用于PLC模块、智能电表、无线传感器节点等设备的电源管理单元。其小型封装和优良的热性能使其能在密集布板环境中稳定运行。同时，因其具备良好的抗扰能力和快速响应特性，也被应用于各种高频率开关电源拓扑，如同步整流反激、SEPIC、Zeta等变换器结构中，进一步拓展了其适用范围。

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　　 "AON6260",
　　 "SI2302DDS",
　　 "DMG2302UKS-7",
　　 "FDMS7680",
　　 "IPD014N03LB"
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