MAS3507D F10 时间：2025/12/27 3:40:19 阅读：8

MAS3507D F10是一款由Magnachip Semiconductor生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，能够在低电压下实现高效的开关性能，特别适用于需要低导通电阻和小封装尺寸的应用场景。MAS3507D F10通常被用于负载开关、电池供电设备中的电源控制、DC-DC转换器以及电机驱动等电路中。其SOT-723封装形式具有极小的占位面积，非常适合对空间要求极为严格的高密度PCB布局设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）均能保持稳定的电气性能。由于其优异的性能指标和紧凑的封装特性，MAS3507D F10在智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品中得到了广泛应用。
　　MAS3507D F10的关键优势在于其低阈值电压（VGS(th)）和快速开关响应能力，使其能够与低压逻辑信号直接接口而无需额外的电平转换电路。这不仅简化了系统设计，还降低了整体功耗。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。数据手册中提供的详细参数和应用建议为工程师提供了充分的设计支持，有助于加快产品开发周期并提高系统可靠性。

参数

型号：MAS3507D F10
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-723
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：52mΩ @ VGS=10V, 55mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：230pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻(结到环境)：450°C/W

特性

MAS3507D F10采用高性能沟槽栅结构设计，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了功率损耗并提高了能效。其在VGS=10V时RDS(on)仅为52mΩ，在VGS=4.5V时也仅达到55mΩ，表明该器件即使在较低的驱动电压下也能维持出色的导通性能，适用于3.3V或更低电压系统的开关控制。这种低导通电阻特性对于延长电池寿命至关重要，尤其是在移动设备中频繁进行电源切换的应用场景。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使得开关速度更快，开关损耗更小，适合高频开关操作。这对于提高DC-DC转换器的效率尤为关键。同时，输入电容Ciss为230pF，输出电容Coss为140pF，这些较小的寄生电容值有助于减少驱动电路的负担，并提升整体系统的动态响应能力。
　　阈值电压VGS(th)范围为0.6V至1.2V，意味着该器件可以在低至1V左右的栅极电压下开始导通，因此非常适合与数字逻辑IC（如微控制器GPIO）直接连接，无需额外的驱动电路。这一特性极大地简化了电路设计，降低了物料成本和板级空间占用。
　　SOT-723封装是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为2.1mm x 1.6mm x 0.95mm，极大节省了PCB空间，适用于高度集成的便携式设备。尽管封装小巧，但其热性能经过优化，能够在有限的散热条件下稳定运行。此外，器件通过了严格的质量认证，具备良好的抗静电能力和长期可靠性，适用于严苛的工作环境。

应用

MAS3507D F10因其小尺寸、低导通电阻和低电压驱动能力，广泛应用于各类便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的负载开关，用于控制不同功能模块（如摄像头、显示屏背光、无线模块）的电源通断，以实现节能和热管理。
　　在电池供电系统中，该器件常用于电池保护电路或电源路径管理，作为主控开关元件，确保系统在待机或关机状态下最小化漏电流。此外，它还可用于USB端口的过流保护和热插拔控制，防止因短路或异常负载导致系统损坏。
　　在DC-DC转换器拓扑中，MAS3507D F10可用作同步整流器或高端/低端开关，特别是在降压（Buck）转换器中，其低RDS(on)有助于提升转换效率，减少发热。对于需要紧凑设计的小功率电源模块，该MOSFET是一个理想选择。
　　其他应用还包括LED驱动电路、小型电机控制、传感器电源开关以及各种嵌入式系统的电源管理单元。由于其兼容低电压逻辑信号的能力，MAS3507D F10也适用于由微控制器直接控制的智能开关应用，例如物联网设备、智能家居终端和可穿戴健康监测设备中的电源管理方案。