类型：PIN二极管
　　封装类型：SOD-323
　　最大反向电压：70 V
　　最大平均电流：200 mA
　　最大峰值电流：1 A
　　热阻：500 K/W
　　结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　典型串联电阻：1.2 Ω
　　典型零偏电容：0.45 pF
　　反向恢复时间：< 1 ns

MAR-4SM的核心特性之一是其优化的射频开关性能，在从几十MHz到超过6GHz的频率范围内均能保持良好的电气表现。其低串联电阻（Rs）约为1.2Ω，使得在导通状态下具有极低的插入损耗，有助于提升系统的整体效率。与此同时，其关断状态下的低结电容（典型值0.45pF）提供了优良的隔离度，有效抑制信号串扰，这对于多通道或高密度射频前端设计尤为重要。
　　该器件采用了先进的硅外延工艺制造，确保了高度一致的电气参数和长期工作的可靠性。其快速的载流子寿命设计使其具备纳秒级的开关速度，适用于需要高速切换的应用场景，如脉冲雷达系统中的T/R模块控制。此外，MAR-4SM能够在较高的射频功率下稳定运行，具备较强的功率耐受能力，不易因过载而导致性能退化或永久损坏。
　　小型化的SOD-323封装不仅节省了PCB空间，还通过短引脚结构降低了寄生电感，有利于高频性能的发挥。这种封装也兼容标准的表面贴装工艺，便于自动化生产和回流焊处理，提升了制造效率与良率。器件在整个工业温度范围（-65°C至+175°C）内都能维持稳定的性能，适应严苛的工作环境，包括户外基站、车载通信系统以及航空航天电子设备。
　　MAR-4SM无需复杂的驱动电路即可工作，通常只需配合简单的直流偏置网络即可实现开关或衰减功能，大幅简化了射频电路的设计复杂度。同时，其良好的ESD防护能力（可达±1kV HBM）提高了在装配和现场维护过程中的鲁棒性，减少因静电导致的早期失效风险。综合来看，MAR-4SM是一款兼具高性能、高可靠性和易用性的射频PIN二极管，特别适合对尺寸、功耗和性能均有严格要求的高端射频系统应用。

MAR-4SM广泛应用于各类高频电子系统中，尤其是在射频开关、可变衰减器、相位阵列天线单元、T/R模块以及自动测试设备（ATE）中发挥关键作用。在无线通信基础设施中，它被用于基站的双工器旁路电路或天线调谐模块，以实现动态阻抗匹配和信号路径选择。在雷达与电子战系统中，MAR-4SM凭借其快速响应和高功率承受能力，常用于构建高速切换的收发开关，保障发射与接收链路之间的安全隔离。此外，在测试测量仪器如矢量网络分析仪（VNA）中，该器件可用于内部校准路径的切换，确保测量精度与重复性。其小型封装也使其适用于便携式或移动平台上的射频前端设计，例如无人机通信链路、卫星通信终端和军用无线电设备。由于其宽频带特性和良好的温度稳定性，MAR-4SM同样适用于宽带通信系统和多频段操作环境下的信号路由控制。

HSMP-3814
　　HSMS-2852
　　BAR50-03W