制造商：Mini-Circuits
　　型号：MAR-1SM+
　　封装类型：SOT-23A
　　工作频率范围：DC ~ 4 GHz
　　典型增益：15.6 dB @ 1 GHz
　　噪声系数：2.6 dB @ 1 GHz
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+20 dBm @ 1 GHz
　　工作电压范围：3V ~ 12V
　　典型工作电压：5V
　　静态电流：12 mA @ 5V
　　输入阻抗：50 Ω
　　输出阻抗：50 Ω
　　增益平坦度：±0.5 dB (up to 2 GHz)
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　耦合方式：直流耦合
　　ROHS合规：是

MAR-1SM+ 采用先进的GaAs MMIC工艺制造，具备优异的宽带放大能力，能够在从直流到4 GHz的宽频率范围内提供稳定且高效的信号增益。其核心是一个增强型砷化镓场效应晶体管，这种材料相较于硅基晶体管具有更高的电子迁移率，从而在高频下表现出更低的噪声和更高的增益效率。该器件无需外部偏置电阻或电感，简化了电路设计流程，降低了整体元件数量和PCB布局复杂度。其直流耦合结构允许处理包含低频成分的复合信号，适用于需要保留信号基带信息的系统应用，如中频放大或直接变频接收链路。在增益表现方面，MAR-1SM+ 在1 GHz时可提供高达15.6 dB的典型增益，并在整个工作频段内保持良好的平坦度，确保不同频率信号之间的相对幅度关系不会因放大器本身特性而失真。
　　另一个显著特点是其出色的线性性能。在1 GHz频率下，该器件的输入三阶交调截点（IIP3）可达+20 dBm，表明其在处理大信号或多载波信号时能够有效抑制非线性失真，减少互调产物的生成，这对于提高通信系统的信噪比和动态范围至关重要。同时，噪声系数仅为2.6 dB @ 1 GHz，使其非常适合用于接收前端的低噪声放大阶段，有助于提升整个系统的灵敏度。MAR-1SM+ 还展现出良好的电源适应性，可在3V至12V的宽电压范围内正常工作，典型工作电流为12 mA @ 5V，功耗较低，适合电池供电或对能效有要求的应用场景。
　　该器件的SOT-23A封装不仅体积小巧，还具备良好的热稳定性和电气性能，支持自动化贴片生产。其输入输出端口均设计为50欧姆阻抗匹配，可直接与标准射频传输线连接，减少了额外匹配网络的需求。此外，MAR-1SM+ 具备较强的抗静电能力和环境耐受性，符合工业级温度规范，在-55°C至+85°C的温度区间内性能稳定，适用于严苛的工作环境。虽然该器件不具备关断功能或增益调节能力，但其简单可靠的架构使其成为许多经典射频设计中的首选放大器之一。

MAR-1SM+ 被广泛应用于各类射频与微波电子系统中，尤其适合作为中频（IF）或射频（RF）信号链中的固定增益放大单元。在无线通信基础设施中，它常用于基站接收机前端、塔顶放大器（TMA）或分布式天线系统（DAS）中，用以补偿信号在长距离传输过程中的损耗并提升接收灵敏度。在测试与测量仪器领域，该器件被集成于频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等设备的内部信号路径中，用于增强微弱信号以便后续处理与检测。其宽带特性也使其适用于宽带接收机和软件定义无线电（SDR）平台，作为多频段共用的通用放大模块。
　　在雷达与电子战系统中，MAR-1SM+ 可用于脉冲信号的前置放大或中频放大环节，帮助维持信号完整性并降低系统噪声基底。由于其良好的线性度和较低的互调失真，该器件也常见于多载波功率放大器的预驱动级，用于保证输入信号的高质量放大后再送入主功放级。此外，在卫星通信终端、GPS导航设备和航空电子系统中，MAR-1SM+ 因其高可靠性与温度稳定性而被广泛采用，尤其是在空间受限但性能要求较高的场合。
　　对于研发和教育用途，MAR-1SM+ 是许多射频教学实验板和开发套件的标准配置元件之一，因其无需复杂外围电路即可工作的特性，极大地方便了初学者理解射频放大器的基本原理与布局技巧。同时，它也被用于各类传感器信号调理电路中，例如将微弱的天线感应信号进行初步放大。尽管近年来出现了更高性能的替代方案，但由于其长期供货、价格合理和技术成熟，MAR-1SM+ 仍在工业控制、医疗电子和消费类无线产品中持续发挥作用。

ERA-5SM+
　　MAR-2SM+
　　PMA-543+
　　SGA-6389+