类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：20V
　　漏极电流 (Id)：6.1A
　　导通电阻 (Rds(on))：38mΩ @ Vgs=10V
　　封装：TSOP

MAQ5281YME 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 38mΩ，使得该器件非常适合需要高电流和低电压降的应用。此外，该 MOSFET 具有高电流容量，能够承受较大的负载电流，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　该器件的另一个重要特性是其快速开关能力，这对于高频应用至关重要。由于其内部结构优化，MAQ5281YME 能够在较短的时间内完成导通和关断操作，从而减少了开关损耗，并提高了系统的整体效率。这种特性使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。
　　MAQ5281YME 采用 TSOP 封装，这种小型化封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能。TSOP 封装可以有效地将器件工作时产生的热量散发出去，防止过热损坏，从而延长器件的使用寿命。此外，这种封装也便于在 PCB 设计中进行布局和焊接，提高了生产效率。
　　在栅极驱动方面，MAQ5281YME 的最大栅源电压为 20V，这为设计人员提供了较大的灵活性。在实际应用中，设计人员可以根据需要选择合适的栅极驱动电压，以优化器件的性能。此外，该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和抗静电能力，确保了在恶劣环境下的可靠运行。

MAQ5281YME 常用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。

Si4410BDY, IRF7404, FDS6680