类型：陶瓷电容器阵列
　　电容值：80 pF（每个电容）
　　容差：±0.5 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　额定电压：50V
　　介质材料：NP0（C0G）
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　端子数量：16
　　尺寸：5.7 mm x 5.0 mm x 1.5 mm
　　RoHS合规：是

MAL214097804E3 是一款高性能多层陶瓷电容阵列，采用了稳定的NP0（C0G）介质材料，确保了极低的电容随温度和电压的变化率。每个电容单元具有±0.5 pF的高精度容差，适用于对稳定性要求极高的射频（RF）和模拟电路。该器件具有优异的高频响应特性，可有效降低高频噪声和干扰，提升系统的信号完整性。此外，MAL214097804E3 的封装结构优化了热膨胀系数，使其在极端温度环境下依然保持稳定的工作性能。由于其多电容集成设计，该器件可以显著减少PCB布局空间，提高电路设计的紧凑性和可靠性。
　　该电容阵列广泛应用于射频放大器、滤波器、振荡器、电源管理电路以及高精度模拟前端（AFE）等场景。其50V的额定电压使其适用于中高电压环境，同时保持良好的稳定性和耐久性。此外，MAL214097804E3 符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造工艺。

MAL214097804E3 主要应用于高频模拟电路、射频模块、滤波器网络、精密放大器、电源去耦和旁路电路中。该器件在通信设备、工业控制系统、测试与测量仪器以及消费类电子产品中均有广泛应用。

Vishay MAL214097804E3K, Vishay MAL214097804E3S, Murata GRM188R61H104KA01D, TDK C1608C0G1H101J080AA