时间：2025/5/8 19:16:54
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MA86L508AS28是一款基于CMOS工艺的高性能低功耗静态随机存取存储器（SRAM），具有高速读写能力，适用于需要高可靠性和快速响应的应用场景。该芯片设计紧凑，支持多种工作电压范围，非常适合便携式设备、通信系统以及工业控制领域。
存储容量：512K x 8 bits
工作电压：1.7V 至 3.6V
访问时间：5ns (典型值)
数据保持时间：无限期（在指定电压和温度范围内）
封装类型：TQFP-44
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚间距：0.8mm
MA86L508AS28采用先进的制造工艺，具备以下显著特性：
1. 高速性能：能够在5ns内完成数据的读写操作，确保高效的系统运行。
2. 低功耗设计：待机电流极低，特别适合电池供电设备。
3. 宽电压支持：允许在1.7V至3.6V之间灵活调整工作电压，提高应用灵活性。
4. 高可靠性：经过严格的测试流程，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 静态存储：无需刷新操作即可长期保存数据，简化了系统设计。
这款SRAM芯片广泛应用于需要快速数据处理和存储的场景，例如：
1. 网络通信设备：如路由器、交换机中的缓存存储。
2. 工业自动化：实时数据采集与处理系统。
3. 医疗设备：监护仪等对延迟要求极高的场合。
4. 消费类电子产品：数码相机、打印机等。
5. 嵌入式系统：作为处理器的外部高速缓存使用。
MA86L508AS24, CY62148EV30, IS61LV5128
