MA721TX 时间：2025/12/28 1:09:55 阅读：10

MA721TX是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率开关应用。该器件采用先进的沟槽式工艺技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于多种电源管理和功率转换场景。MA721TX封装在小型化且具有良好散热性能的SOT-23封装中，适合对空间要求严格的便携式电子设备使用。其额定电压为20V，连续漏极电流可达2.3A，能够在较宽的温度范围内稳定工作，因此被广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及信号切换等场合。由于其出色的电气性能和可靠性，MA721TX成为许多低电压、中等电流应用中的理想选择之一。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。

参数

型号：MA721TX
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：2.3A（@ TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：9.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（@ VGS=4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：46mΩ（@ VGS=2.5V）
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@ VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：140pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：6.8nC（@ VGS=4.5V）
　　功耗（Pd）：500mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

MA721TX采用Rohm先进的Trench MOS工艺制造，具有极低的导通电阻，这使得它在低电压开关应用中表现出色，能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。其RDS(on)典型值仅为34mΩ（在VGS=4.5V条件下），意味着在通过较大电流时仍能保持较低的温升，从而提升系统的可靠性和寿命。
　　该器件具备快速的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg=6.8nC）和低输入/输出电容，使其非常适合高频开关电源设计，如同步整流、DC-DC降压变换器等。同时，较低的Crss（反向传输电容）有助于减少米勒效应的影响，提高抗噪声干扰能力，避免误触发。
　　MA721TX的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，可直接由3.3V或更低电压的微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　其SOT-23封装不仅体积小巧，便于在紧凑型PCB布局中使用，而且具备良好的热传导性能，在自然对流条件下即可实现有效的热量散发。此外，该封装与主流贴片工艺兼容，支持自动化生产，提升了制造效率。
　　器件的工作结温可达+150°C，并具备过温保护能力，在高温环境下仍能维持稳定运行。同时，产品经过严格的质量控制和可靠性测试，确保在工业级和消费类应用场景下的长期稳定性。

应用

MA721TX广泛应用于各类低电压、中等电流的开关与功率控制电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的负载开关或电源路径控制，用于实现电池供电系统的上电时序管理与节能控制。
　　在DC-DC转换器中，特别是同步整流拓扑结构里，MA721TX可作为下管或上管使用，因其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升了转换效率，减少了能量损耗，延长了电池续航时间。
　　该器件也常用于LED驱动电路中，作为恒流调节或开关控制元件，实现精确的亮度控制和瞬态响应。
　　此外，在电机驱动、继电器驱动、热插拔控制器以及各类信号切换应用中，MA721TX凭借其高可靠性和紧凑封装，成为理想的开关元件。例如，在多路复用器或模拟开关电路中，可用于数字信号的通断控制。
　　由于其逻辑电平兼容性，MA721TX还可用于微控制器与外围设备之间的接口驱动，替代传统三极管或机械开关，提供更高效、更耐用的解决方案。