时间：2025/8/19 19:28:34
阅读：22
MA702GQ-P 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺，具有低导通电阻和高可靠性，适用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统等领域。MA702GQ-P 封装为 TSOP（薄型小外形封装），具有良好的热性能和空间利用率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：6.5A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=10V，22mΩ @ Vgs=4.5V
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOP
MA702GQ-P MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其最大漏源电压为 30V，适用于中低功率的电源管理应用，例如同步整流器、负载开关和电池供电设备中的 DC-DC 转换器。该器件支持高达 6.5A 的连续漏极电流，在高电流条件下仍能保持良好的稳定性和性能。此外，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（可支持 4.5V 和 10V 驱动电压），便于与各类控制器和驱动 IC 配合使用。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性，封装形式为 TSOP，具备优异的散热性能，适合高密度 PCB 布局。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和车载级应用。MA702GQ-P 的低功耗设计和高可靠性使其成为便携式电子设备、服务器电源、马达控制和电源管理系统中的理想选择。
MA702GQ-P MOSFET 主要应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，例如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其封装小巧且具备良好的热管理能力，特别适用于空间受限的便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等。此外，MA702GQ-P 还适用于汽车电子系统，包括车载充电器、LED 照明控制、电动助力转向系统等应用场景。
Si2302DS, AO4406A, IRF7404, FDS6675
