MA60H091S 时间：2025/12/24 16:30:58 阅读：24

MA60H091S 是一款由 MagnaChip 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率应用，如电源管理、电机控制和DC-DC转换器。这款MOSFET具有高耐压和大电流能力，适合需要高效能和高可靠性的应用场景。MA60H091S 采用TO-220封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.5Ω（最大2.0Ω）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功率耗散（Pd）：83W
　　漏源击穿电压（BVdss）：900V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

特性

MA60H091S MOSFET 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达900V，使其非常适合高压电源应用。该器件的漏极电流额定值为6A，能够支持较大的负载电流。导通电阻较低，典型值为1.5Ω，最大值为2.0Ω，确保了在导通状态下的低功耗和高效率。此外，该MOSFET的栅极电压范围为±30V，具有较高的栅极耐压能力，防止栅极氧化层击穿。器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应各种环境条件。MA60H091S 采用TO-220封装，散热性能良好，适合高功率应用中的热管理。该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于需要长期稳定运行的应用场景。

应用

MA60H091S MOSFET 主要应用于高功率电子设备中，如电源供应器、UPS（不间断电源）、电机控制器和DC-DC转换器。由于其高耐压和大电流能力，该器件也常用于工业自动化设备、电动工具和消费类电器中的电源管理电路。在照明系统中，特别是LED照明驱动电路中，MA60H091S 也可作为开关元件使用。此外，该MOSFET还适用于需要高可靠性和长寿命的汽车电子系统和工业控制设备。