MA60H081S 时间：2025/7/24 22:37:45 阅读：10

MA60H081S 是一款由 MagnaChip 生产的高压功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。该器件采用先进的高压沟槽 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的工业级应用。MA60H081S 的最大漏极-源极电压（VDS）为 600V，连续漏极电流（ID）可达 8A，适用于多种功率开关场景。

参数

VDS: 600V
　　ID: 8A
　　RDS(on): 0.85Ω（典型值）
　　VGS(th): 3.0V ~ 5.0V
　　Qg: 25nC（典型值）
　　封装: TO-220F

特性

MA60H081S MOSFET 具有多个显著的技术特性，使其在高压功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其典型的 RDS(on) 值为 0.85Ω，能够在高电流条件下保持较低的功耗。
　　其次，MA60H081S 具有高达 600V 的漏极-源极击穿电压，适用于多种高压应用场景，如工业电源、UPS 系统、电机驱动和高电压 DC-DC 转换器等。其高耐压能力确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和抗过载能力。TO-220F 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械稳定性和电气绝缘能力，适合工业环境中的长期运行。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，仅为 25nC，有助于减少开关损耗并提高开关频率，从而提升整体系统的响应速度和效率。这使得 MA60H081S 在高频开关应用中表现优异。
　　最后，MA60H081S 具有良好的短路耐受能力，能够承受一定的过载和瞬态电流，提高了系统的可靠性和安全性。

应用

MA60H081S MOSFET 可广泛应用于多个高压功率电子系统中。
　　在电源管理系统中，它常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器的主开关器件，提供高效的能量转换和稳定的输出电压。其低导通电阻和高耐压能力使其在大功率电源适配器、服务器电源和工业电源中表现出色。
　　在电机控制领域，MA60H081S 可用于电机驱动电路，作为 PWM 控制的功率开关。其良好的开关特性和热稳定性使其适用于电动工具、工业自动化设备和家用电器中的电机控制模块。
　　此外，该 MOSFET 还可用于负载开关和电池管理系统，用于控制高电压电池组的充放电过程，确保系统的安全性和稳定性。在光伏逆变器和储能系统中，MA60H081S 也常用于 DC-AC 转换电路的高压侧开关，提供高效率和可靠的能量转换。
　　由于其优异的性能，MA60H081S 还适用于智能电表、LED 照明驱动、UPS 系统以及各种工业自动化控制设备中的功率开关应用。