时间：2025/12/28 12:47:43
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MA4PK2004 是一款由 MACOM（Microchip Technology 旗下公司）生产的砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），属于微波射频功率放大器器件。该器件设计用于在高频应用中提供高功率增益和出色的线性度，适用于无线通信系统、雷达、测试设备和其他射频功率放大场合。MA4PK2004 采用先进的 GaAs 工艺制造，具有高可靠性和良好的热稳定性。
类型：GaAs FET 射频功率晶体管
工作频率：DC - 4 GHz
输出功率：典型值 10 W（在 2 GHz）
增益：典型值 14 dB（在 2 GHz）
漏极电压（Vds）：最大 28 V
漏极电流（Id）：最大 1 A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：陶瓷金属封装（Metal-Ceramic）
输入/输出阻抗：50 Ω（典型）
MA4PK2004 的核心特性之一是其宽频带性能，可在从 DC 到 4 GHz 的频率范围内保持稳定的放大性能。这使得它非常适合用于多频段或多用途射频系统中。此外，该器件在 2 GHz 频率下可提供高达 10 W 的输出功率，增益典型值为 14 dB，能够满足中功率射频放大需求。
其 GaAs 工艺赋予了器件良好的线性度和效率，适用于需要高信号保真度的应用，例如无线基础设施和测试仪器。此外，MA4PK2004 具有较高的耐压能力（最大 Vds 为 28 V），可以在较宽的电源电压范围内工作，提升了系统设计的灵活性。
该器件采用陶瓷金属封装，具有优异的热传导性能和机械稳定性，适合在严苛环境下运行。其工作温度范围覆盖 -55°C 至 +150°C，适用于工业和军事级应用。此外，MA4PK2004 提供了 50 Ω 的标准输入输出阻抗，便于与射频电路集成，减少匹配网络的复杂度。
MA4PK2004 主要应用于高频射频功率放大系统，如蜂窝基站、无线本地环路（WLL）、卫星通信设备和雷达发射模块。其宽频特性也使其成为测试设备和测量仪器中理想的中功率放大器。此外，该器件可用于工业和军事通信系统，满足在恶劣环境下的稳定运行需求。由于其高线性度和效率，MA4PK2004 在需要高信号质量的数字通信系统中也有广泛应用，例如 WiMAX、LTE 和 5G 前向兼容系统。
MRF6S20040N, HMC414, MA4PK2004 替代型号还包括 Cree/Wolfspeed 的 GaN 器件如 CGH40010F（在更高性能需求下使用）
