您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MA4PH236-1072T

MA4PH236-1072T 发布时间 时间:2025/12/28 12:23:15 查看 阅读:11

MA4PH236-1072T是一款由MACOM(Microsemi Corporation)生产的高性能砷化镓(GaAs)肖特基二极管,专为射频(RF)和微波应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低正向电压降、快速开关速度以及优异的高频性能,适用于各种高频信号检测、混频和开关电路中。MA4PH236-1072T被广泛用于通信系统、雷达设备、测试仪器以及其他需要高可靠性和稳定性的射频前端模块中。该二极管封装在小型表面贴装封装中,便于自动化装配并节省PCB空间,适合现代紧凑型电子设备的设计需求。其稳定的电气特性使其在宽温度范围内都能保持一致的性能表现,是高频模拟电路中的关键元件之一。

参数

型号:MA4PH236-1072T
  制造商:MACOM
  器件类型:GaAs 肖特基二极管
  封装类型:SOD-323
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大正向电流:30mA(连续)
  峰值反向电压:7V
  电容(在4V偏置下):0.2pF
  串联电阻:≤15Ω
  反向恢复时间:典型值 <1ns
  结温:最高+150°C
  功率耗散:150mW(最大)

特性

MA4PH236-1072T的核心特性源于其基于砷化镓(GaAs)材料的肖特基势垒结构,这种结构赋予了它卓越的高频响应能力和低噪声操作性能。该二极管具有非常低的结电容,在4V反向偏置下的典型电容仅为0.2皮法,这使得它在GHz级别的射频应用中能够有效减少信号衰减和失真,从而提升系统的整体灵敏度与带宽。此外,其较低的串联电阻(≤15Ω)有助于降低导通损耗,提高效率,尤其在小信号整流和检波应用中表现出色。
  该器件具备快速的开关速度,反向恢复时间小于1纳秒,这意味着它可以在高频环境下迅速切换状态而不会产生显著的延迟或拖尾效应,非常适合用于高速开关和脉冲调制场景。同时,由于采用了肖特基结构,其正向导通电压较低,通常在0.3V至0.5V之间,远低于传统硅PN结二极管,这不仅降低了功耗,也提升了对微弱信号的检测能力。
  MA4PH236-1072T的工作温度范围宽达-55°C至+125°C,可在极端环境条件下稳定运行,适用于航空航天、军事通信和户外基站等严苛应用场景。其封装形式为SOD-323,是一种小型化的表面贴装封装,具有良好的热稳定性和机械强度,支持回流焊工艺,易于集成到高密度印刷电路板中。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,满足现代电子产品对可持续发展的要求。MACOM对该产品实施严格的质量控制流程,确保每批次器件都具有一致的电气特性和长期可靠性。

应用

MA4PH236-1072T主要应用于高频和微波电子系统中,尤其是在需要高灵敏度和低插入损耗的场合。它常用于射频检波器电路中,将接收到的高频信号转换为可处理的直流或低频信号,广泛见于无线通信接收机、雷达前端和光通信模块中。在混频器设计中,该二极管可用于上变频或下变频过程,利用其非线性伏安特性实现频率转换功能,适用于微波链路、卫星通信和毫米波系统。
  此外,该器件也可作为高速开关元件,在射频开关和衰减器电路中发挥重要作用,能够快速切换信号路径或调节信号幅度。由于其出色的温度稳定性和长期可靠性,MA4PH236-1072T也被用于各类测试与测量设备,如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器中,作为关键的信号调理组件。
  在物联网(IoT)、5G基础设施和智能传感系统中,随着工作频率不断升高,对高性能无源和有源器件的需求日益增长,MA4PH236-1072T凭借其小型化封装和优异的高频性能,成为设计师优选的解决方案之一。其在低功率环境下的高效表现,使其同样适用于电池供电设备中的能量采集和信号检测模块。总之,该二极管适用于所有要求高频率、小尺寸、低功耗和高可靠性的现代射频电子系统。

MA4PH236-1072T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MA4PH236-1072T资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MA4PH236-1072T参数

  • 现有数量652现货
  • 价格1 : ¥52.79000剪切带(CT)1,500 : ¥33.27034卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管类型PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值)600V
  • 电流 - 最大值-
  • 不同?Vr、F 时电容0.5pF @ 10V,1MHz
  • 不同?If、F 时电阻3 欧姆 @ 10mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值)1 W
  • 工作温度-65°C ~ 175°C(TJ)
  • 封装/外壳2-SMD
  • 供应商器件封装-