MA4P504-1072T 时间：2025/12/28 11:45:20 阅读：13

MA4P504-1072T是一款由MACOM（Microsemi Corporation）生产的高性能砷化镓（GaAs）肖特基二极管，广泛应用于射频（RF）和微波领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低正向压降、快速开关速度和高可靠性等优点，特别适用于高频信号检测、混频和开关电路中。MA4P504-1072T属于表面贴装器件（SMD），封装形式为SOD-323，便于在紧凑型高频电路板上实现高密度布局。该二极管设计用于在宽频率范围内保持稳定的电气性能，是通信系统、雷达设备、测试仪器和其他高频电子系统中的关键组件。其优异的热稳定性和环境适应性使其能够在严苛的工作条件下长期可靠运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的需求。由于其出色的射频性能和小型化封装，MA4P504-1072T被广泛用于无线基础设施、卫星通信、航空航天电子以及毫米波应用中。

参数

型号：MA4P504-1072T
　　制造商：MACOM
　　二极管类型：肖特基二极管
　　技术材料：砷化镓（GaAs）
　　封装类型：SOD-323
　　工作温度范围：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向电压：7V
　　最大正向电流：10mA
　　结电容（@ 0V, 1MHz）：0.18pF
　　串联电阻：12Ω
　　正向电压（@ 1mA）：约240mV
　　反向漏电流（@ 5V）：典型值10nA
　　最高工作频率：可达40GHz以上

特性

MA4P504-1072T作为一款高性能的GaAs肖特基二极管，在高频应用中表现出卓越的技术优势。其核心特性之一是极低的结电容，典型值仅为0.18皮法拉（pF），这显著降低了在高频信号路径中的寄生效应，使得该器件能够在高达40GHz甚至更高的频率下保持良好的响应能力。这一特性使其非常适合用于毫米波频段的检波和混频应用，例如在5G通信前端模块、相控阵雷达接收链路以及高频测试探头中。此外，该二极管采用了砷化镓材料体系，相较于传统的硅基肖特基二极管，具有更小的势垒高度和更快的载流子迁移速度，从而实现了更低的正向导通电压（在1mA时约为240mV）和极短的反向恢复时间，几乎可以忽略不计，因此非常适合高速开关和小信号整流场景。
　　另一个关键特性是其非常低的串联电阻（Rs），典型值为12欧姆，这意味着在信号传输过程中能量损耗极小，有助于提高系统的整体效率并降低噪声系数。这对于高灵敏度接收机前端尤其重要，能够有效提升信噪比和动态范围。同时，该器件的反向漏电流极低，在5V反向偏置下典型值仅为10纳安（nA），保证了在高阻抗电路中的稳定性和精度。这种低漏电特性也增强了其在精密检测电路中的适用性，如功率监测、自动增益控制（AGC）环路等。
　　MA4P504-1072T的SOD-323封装不仅体积小巧，便于集成于高密度PCB设计中，而且具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。该器件还具备优良的温度稳定性，在-65°C至+125°C的宽温度范围内均可保持一致的电气性能，适用于军用级和工业级应用场景。此外，产品经过严格的质量控制和可靠性测试，符合MIL-STD-202等军用标准，确保在极端环境下的长期可靠运行。

应用

MA4P504-1072T因其优异的高频性能和稳定性，被广泛应用于多个高端电子系统领域。主要用途包括射频检波器，在无线通信系统中用于提取调制信号或测量射频功率强度，例如在基站功率放大器的反馈回路中实现输出功率监控；其次，在混频器电路中，该二极管可作为非线性元件将两个不同频率的信号进行频率转换，广泛应用于上变频和下变频模块中，尤其是在毫米波雷达和卫星通信收发器中表现突出；此外，它也常用于高频开关电路，利用其快速响应特性实现信号路径的选择与切换，适用于测试仪器中的射频路由系统；在测试与测量设备中，如网络分析仪、频谱仪的探头前端，该器件用于构建高精度的检波电路；另外，在航空航天与国防电子系统中，如电子战设备、导弹导引头和机载通信系统，MA4P504-1072T凭借其高可靠性和宽温工作能力成为关键元器件；最后，在新兴的5G毫米波基础设施、汽车雷达（77GHz频段）以及宽带无线接入系统中，该二极管也发挥着重要作用，支持高频信号的有效处理与检测。