制造商：Skyworks Solutions
　　产品系列：MA4M3050
　　二极管类型：肖特基二极管
　　技术：GaAs（砷化镓）
　　最大正向电流：20 mA
　　峰值反向电压：7 V
　　结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装/外壳：SOD-323
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　正向电压（VF）：典型值 350 mV @ 1 mA
　　反向漏电流（IR）：典型值 10 nA @ 5 V
　　结电容（Cj）：典型值 0.22 pF @ 4 V
　　串联电阻（Rs）：典型值 12 Ω
　　工作频率范围：DC 至 18 GHz

MA4M3050的核心特性之一是其卓越的高频性能，这得益于其采用的砷化镓（GaAs）材料和先进的肖特基结构设计。该二极管在高达18 GHz的工作频率下仍能保持稳定的电气特性，使其非常适合用于毫米波通信、宽带接收机和高频雷达系统。其极低的结电容（典型值仅为0.22 pF @ 4 V）有效减少了高频信号通过时的容抗损耗，提高了系统的响应速度和信号完整性。同时，低串联电阻（Rs ≈ 12 Ω）进一步降低了导通损耗，提升了功率转换效率，尤其在小信号处理应用中表现突出。
　　另一个显著特点是其快速开关能力。由于肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计，这对于高速数字调制信号的解调和高频脉冲信号的整流至关重要。这一特性使得MA4M3050在包络检波电路中能够精确还原调制信号，减少失真和延迟，提升通信质量。
　　此外，该器件具有非常低的正向导通压降（典型值350 mV @ 1 mA），这意味着在微弱信号环境下也能实现有效的整流或检波功能，增强了系统的灵敏度。其反向漏电流极低（典型值10 nA @ 5 V），有助于降低静态功耗并提高信噪比，特别适用于低功耗、高精度的便携式射频设备。
　　MA4M3050还具备出色的温度稳定性，可在-65°C至+175°C的宽结温范围内正常工作，确保了在极端环境下的可靠运行。其SOD-323小型化封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，适用于大批量制造场景。综合来看，这些特性使MA4M3050成为高性能射频系统中不可或缺的关键元件。

MA4M3050广泛应用于各类高频和微波电子系统中，尤其在对信号完整性、响应速度和可靠性要求较高的场合表现优异。其主要应用场景包括射频检波电路，在无线通信接收机中用于提取调制信号的包络信息，常见于AM解调、RSSI（接收信号强度指示）测量等模块。由于其低阈值电压和高灵敏度，即使在微弱信号条件下也能实现高效检波，适用于蜂窝基站、Wi-Fi接入点和物联网设备中的信号监测单元。
　　在混频器设计中，MA4M3050可作为无源混频元件，利用其非线性伏安特性将两个输入频率信号混合生成和频与差频成分，广泛用于上变频和下变频电路中。其快速响应和低失真特性有助于减少杂散信号输出，提高混频器的动态范围和线性度，适用于软件定义无线电（SDR）、雷达前端和卫星通信终端等复杂系统。
　　此外，该器件还可用于高频开关电路，如射频开关、衰减器和限幅器中，凭借其低插入损耗和高隔离度优势，提升系统整体性能。在测试与测量仪器领域，MA4M3050常被集成于矢量网络分析仪、频谱仪和信号发生器的前端模块中，用于校准和信号调理。
　　在航空航天与国防系统中，由于其高可靠性和宽温工作能力，MA4M3050被用于机载通信设备、导弹制导系统和电子战平台中的射频前端，满足严苛的军用标准。此外，其小型化封装也适合用于相控阵天线系统中的移相器和功率分配网络。总之，MA4M3050凭借其优异的高频特性和稳定性，已成为现代射频工程中广泛应用的核心器件之一。

HSMS-285x
　　HSMS-286x
　　MA4E2050
　　UM4030