时间：2025/8/15 1:00:29
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MA3J147UOL 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压、高效率的电源管理系统中。该器件采用小型表面贴装封装，适合在空间受限的设计中使用。MA3J147UOL 特别适用于负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备以及其他需要高效功率控制的场合。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-4.7A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ @ Vgs = -10V，110mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOP
引脚数：8
MA3J147UOL 具备优异的导通性能和低导通电阻，这使得它在高负载电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
该MOSFET采用先进的沟槽式技术制造，提供了良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于工业和消费类电子产品。
其栅极驱动电压范围较宽，支持在-4.5V至-20V之间工作，这使得MA3J147UOL可以与多种控制器和驱动器兼容，增强了设计的灵活性。
此外，MA3J147UOL的封装设计优化了热管理性能，使其能够在较高的环境温度下稳定运行，同时减小了PCB占用空间，非常适合便携式设备和紧凑型电源模块。
该器件还具备良好的抗静电能力和较高的耐用性，可在多种工作环境下提供稳定可靠的性能。
MA3J147UOL 主要应用于便携式电子设备中的电源管理，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。
它也常用于电池供电系统中的负载开关控制，以实现高效的电源切换和节能管理。
此外，该MOSFET还可用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路以及各种低电压功率开关电路中。
在工业控制系统和小型电源模块中，MA3J147UOL也扮演着关键角色，为设计提供高性能和高可靠性的功率控制解决方案。
Si2301DS, AO4407A, FDN340P, IRML2502
