MA36DS21C3 时间：2025/12/27 1:42:33 阅读：23

MA36DS21C3是一款由松下（Panasonic）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于各类电子设备中。该器件采用小型化封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。MA36DS21C3具有低正向电压降和快速开关特性，适用于高频整流、反向极性保护、信号解调以及电源管理等场景。其结构设计优化了热性能和电气性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作，提升了系统可靠性。该二极管符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适合现代绿色电子产品制造要求。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，MA36DS21C3常用于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他需要高效能低功耗元件的设备中。此外，该器件也适用于DC-DC转换器、电池充电电路和负载开关等应用场合，提供高效的电流单向导通功能。

参数

型号：MA36DS21C3
　　封装类型：SOD-323 (SC-76)
　　极性：单个肖特基二极管
　　最大重复反向电压 (VRRM)：30V
　　最大直流反向电压 (VR)：30V
　　最大正向电流 (IF)：200mA (平均值)
　　峰值正向电流 (IFSM)：500mA (非重复, 1ms方波)
　　最大正向电压降 (VF)：450mV @ IF = 100mA
　　最大反向漏电流 (IR)：100μA @ VR = 30V (25°C)
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 (Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　热阻 (RθJA)：约450°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　结电容 (Cj)：约40pF @ Vr = 0V, f = 1MHz

特性

MA36DS21C3具备优异的电气性能与物理特性，使其在众多小型化电子设备中成为理想选择。首先，该器件采用了肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了正向导通电压，通常在100mA电流下仅为450mV左右，远低于传统PN结二极管的0.7V。这不仅减少了功率损耗，还提高了能源转换效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。其次，由于其无少数载流子存储效应，MA36DS21C3拥有极快的开关速度，能够实现高频整流和瞬态响应，在开关电源和高频信号处理电路中表现优异。
　　该器件采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，极大节省了PCB空间，适应高密度组装需求，支持自动化贴片工艺，提升生产效率。同时，该封装具备良好的散热性能，结合低内热生成特性，可在-55°C至+125°C的宽温度范围内稳定运行，确保极端环境下的可靠性。此外，MA36DS21C3具有较低的反向漏电流（典型值小于100μA），有助于减少待机功耗，满足节能设计要求。
　　产品符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，适用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块。其无铅、无卤素的设计符合RoHS与REACH环保规范，支持绿色环保制造流程。内置的防静电保护结构增强了器件在装配和使用过程中的抗ESD能力。综合来看，MA36DS21C3以其低VF、高速度、小体积和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

应用

MA36DS21C3广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间和能效有严格要求的场合。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用于电池输入端的反向极性保护，防止因电池安装错误或外部电源反接导致的电路损坏。其低正向压降特性也使其成为DC-DC转换器输出端的理想续流二极管或整流元件，有效降低能量损失，提高整体转换效率。
　　在电源管理系统中，该二极管可用于OR-ing电路，实现多电源路径选择与冗余供电，避免电流倒灌。此外，在信号检测与解调电路中，凭借其快速响应能力，MA36DS21C3可用于高频信号的包络检波，常见于无线通信模块或传感器接口电路。
　　工业控制设备和嵌入式系统中，该器件常用于I/O端口保护、防止感性负载反冲电压损害主控芯片。在汽车电子领域，尽管为通用型器件，但其稳定性使其可应用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的小功率电源整流环节。此外，在LED驱动电路中，也可作为防倒灌二极管使用，保障光源稳定工作。总之，凡需高效、小型化单向导电器件的场景，MA36DS21C3均表现出良好适应性。