时间：2025/7/11 18:29:58
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MA26V110010F 和 MA26V11001TD 是基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频、高效能功率转换应用。这些器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。其中MA26V110010F采用贴片式封装，而MA26V11001TD则使用了顶部散热的TO-247封装形式，适用于不同的散热需求。
额定电压：650V
连续漏极电流：110A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：130nC
反向恢复时间：无反向恢复
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：MA26V110010F为DFN8x8封装；MA26V11001TD为TO-247封装
这些器件具备非常低的导通电阻和栅极电荷，从而能够实现高效的功率转换。此外，由于采用了先进的GaN技术，它们拥有更快的开关速度和更小的寄生效应，显著降低了开关损耗。
其顶部散热版本（MA26V11001TD）特别适合需要高效热管理的高功率应用场景，而表面贴装版本（MA26V110010F）则更适合自动化生产和空间受限的设计环境。
GaN晶体管还支持零反向恢复电流特性，进一步减少了开关过程中的能量损失，提升了系统整体效率。
MA26V110010F和MA26V11001TD广泛应用于数据中心服务器电源、电动汽车车载充电器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器以及其他对效率和功率密度要求较高的领域。在这些应用中，GaN HEMT的优势在于能够提供更高的开关频率和更低的功耗，从而缩小设备体积并提升性能。
GAN063-650WSA, EPC2059
