MA2330-A 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力。MA2330-A 采用 TO-220 封装,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):@ Vgs=10V 时 ≤ 4.5mΩ
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220
MA2330-A 具备多项优异特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。其次,该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,其宽泛的栅源电压范围(±20V)增强了控制灵活性,适用于多种驱动电路。
该器件还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于苛刻的工业和汽车电子应用。MA2330-A 的 TO-220 封装提供了良好的散热性能,有助于提高器件的可靠性。此外,该 MOSFET 还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
在可靠性方面,MA2330-A 经过严格的测试和验证,符合 AEC-Q101 汽车电子标准,适用于汽车电子系统中的关键功率控制任务。其高雪崩能量耐受能力也增强了在瞬态过电压条件下的稳定性。
MA2330-A 主要应用于需要高效率、高电流能力和低导通损耗的功率管理系统。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统(BMS)、电源开关以及汽车电子中的功率控制模块。此外,该器件也适用于 UPS(不间断电源)、服务器电源和工业自动化控制系统。
STP60NF03, FDP6030AL, IRF6717, IPP60R045C7