MA16DP20C3 时间：2025/12/27 1:27:40 阅读：12

MA16DP20C3是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的高电压、大电流肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），广泛应用于电源整流、反向电压保护以及高频开关电路中。该器件采用双二极管共阴极配置，即在一个封装内集成两个阳极共享同一阴极的肖特基二极管，这种结构特别适用于全波整流或同步整流拓扑中。MA16DP20C3具有低正向导通压降和快速反向恢复特性，能够在高频条件下实现较高的转换效率，同时减少功率损耗和发热问题。其最大重复峰值反向电压为200V，最大平均整流电流可达16A，适合用于工业电源、通信设备、服务器电源模块及消费类电子产品中的DC-DC转换器等场景。
　　该器件采用TO-247AD标准封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，能够有效将芯片产生的热量传递至散热器，从而保证在高负载条件下的长期可靠运行。MA16DP20C3符合RoHS环保要求，并通过了相关可靠性认证，适用于对能效和安全性有较高要求的应用环境。此外，由于其优异的开关特性和较低的电磁干扰（EMI）表现，该二极管也常被用于PFC（功率因数校正）电路中作为续流或升压二极管使用。

参数

器件类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
　　最大直流阻断电压（VR）：200V
　　最大平均整流电流（IO）：16A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向导通压降（VF）：1.0V @ 8A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：200μA @ 200V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247AD
　　安装方式：通孔安装

特性

MA16DP20C3的核心优势在于其高电流承载能力与低正向压降之间的优化平衡，这使其在高效率电源设计中表现出色。其正向导通压降典型值仅为1.0V，在8A电流下显著低于传统快恢复二极管，从而大幅降低导通损耗，提升系统整体能效。这一特性在大功率DC-DC变换器和连续导通模式（CCM）PFC电路中尤为重要，有助于减小散热器尺寸并提高功率密度。此外，肖特基二极管本身无少数载流子存储效应，因此具备极快的开关响应速度和近乎零的反向恢复时间（trr），可有效避免与MOSFET或IGBT配合使用时产生严重的反向恢复电流尖峰，进而降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了均匀的电场分布和稳定的电气性能。其双管共阴极结构便于在全桥或中心抽头整流电路中使用，简化PCB布局并减少元件数量。TO-247AD封装不仅提供了优良的热导路径，还增强了机械强度，适用于振动或高温环境下工作的工业设备。内部引线采用铜带连接技术，降低了寄生电阻和电感，进一步提升了电流传输效率和抗浪涌能力。产品经过严格的高温反偏（HTRB）、高温高压反向偏置（THB）和温度循环测试，确保在恶劣工况下的长期可靠性。此外，MA16DP20C3具有较低的结电容和寄生参数，有利于高频应用中的信号完整性。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其可在极端环境温度下稳定运行，适用于车载、工业控制和户外通信基站等多种严苛应用场景。

应用

MA16DP20C3主要应用于需要高效率、高可靠性的电源系统中，尤其是在中大功率开关电源（SMPS）中作为输出整流二极管使用。它常见于服务器电源、电信整流器、UPS不间断电源、工业自动化设备电源模块以及新能源领域的光伏逆变器和储能系统。在这些应用中，其低正向压降和快速开关特性有助于实现更高的能量转换效率，满足日益严格的能源法规要求。此外，该器件也广泛用于主动式功率因数校正（PFC）电路中，作为升压二极管承担高频高压整流任务，在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下均能保持良好性能。
　　在DC-DC转换器拓扑中，如LLC谐振变换器、半桥/全桥变换器中，MA16DP20C3可用于次级侧同步整流辅助或自由轮转二极管，以防止反向电流损坏主开关器件。其高浪涌电流承受能力（高达150A）使其能够应对开机瞬间的大电流冲击，提高系统鲁棒性。在电机驱动和变频器系统中，该二极管可用作钳位或续流元件，保护IGBT或MOSFET免受感应电压尖峰损害。由于其符合RoHS标准且不含卤素，因此也适用于绿色环保电子产品设计。此外，在LED照明电源、医疗电源等对安全性和稳定性要求较高的领域，MA16DP20C3凭借其出色的热稳定性和长寿命表现，成为设计师首选的整流解决方案之一。